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MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM |
AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC 레네사스 디자인 독일 GmbH
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 |
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR |
IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMicroelectronics
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | EEPROM |
| 기술: | EEPROM |
70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA 레네사스 전자제품 아메리카 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 듀얼 포트, 동기식 |