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70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA 레네사스 전자제품 아메리카 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 듀얼 포트, 동기식 | 메모리 용량 | 18Mbit |
메모리구성 | 512K X 36 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 133 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | 4.2 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.4V ~ 2.6V |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 256-LBGA | 공급자의 장치 패키지 | 256-cabga (17x17) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
70T3539MS133BC | IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA | |
70T3509MS133BPI | IC SRAM 36MBIT PAR 256CABGA | |
70T3539MS133BCI | IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA | |
70V3599S133BCI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA | |
70T653MS12BCI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA | |
70T3509MS133BPG | IC SRAM 36MBIT PAR 256CABGA | |
70T3509MS133BPGI | IC SRAM 36MBIT PAR 256CABGA | |
70V3569S6BC | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3379S6BC8 | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3569S6BC8 | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3379S6BC | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3379S5BC8 | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3569S5BC8 | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3569S5BC | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3379S5BC | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3379S4BC8 | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3569S4BC | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3569S4BC8 | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3379S4BC | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
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70V3569S5BCI | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3569S5BCI8 | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | |
70V3579S6BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V3389S6BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V3389S6BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V3579S6BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V3389S5BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V3579S5BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V657S15BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V3389S5BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V3579S5BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V657S15BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
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70V3579S4BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
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70V3389S4BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
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70V7599S200BC | IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA | |
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70T653MS12BCI8 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA | |
70T3539MS133BCI8 | IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA | |
70T3509MS133BP | IC SRAM 36MBIT PAR 256CABGA | |
70P3519S166BCG | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA | |
70P3519S166BCG8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA | |
70P3519S166BCGI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA | |
70P3519S166BCGI8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA | |
70P3519S200BCG | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA | |
70P3519S200BCG8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA | |
70V5388S100BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S100BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S133BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S133BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S166BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S166BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S166BCI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S166BCI8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S200BC | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S200BC8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V5388S200BCG | IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA | |
70V7319S166BCGI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
제품 설명
제품 세부 정보
전압 차단기 2 전극 차단기
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 통합 회로 시스템 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | 70T3539M |
종류 | 동기화 |
포장 | 트레이 대체 포장 |
장착 방식 | SMD/SMT |
패키지 케이스 | 256-LBGA |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 2.4V ~ 2.6V |
공급자 제품 패키지 | 256-CABGA (17x17) |
메모리 용량 | 18M (512K x 36) |
메모리 타입 | SRAM - 두 개의 포트, 동기화 |
속도 | 133MHz |
접근 시간 | 4.2 ns |
형식 메모리 | RAM |
최대 작동 온도 | + 70C |
작동 온도 범위 | 0 C |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 512 k x 36 |
공급 전류 최대 | 740mA |
부분-#-위명 | 70T3539M IDT70T3539MS133BC |
공급 전압 최대 | 2.6V |
공급 전압-분 | 2.4V |
패키지 케이스 | CABGA-256 |
최대 시계 주파수 | 133 MHz |
설명
SRAM - 듀얼 포트, 동기 메모리 IC 18Mb (512K x 36) 병렬 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V 듀얼 포트 램
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