70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA 레네사스 전자제품 아메리카 인크

브랜드 이름 Renesas Electronics America Inc
모델 번호 70T3539MS133BC
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 SRAM
기술 SRAM - 듀얼 포트, 동기식 메모리 용량 18Mbit
메모리구성 512K X 36 기억기접합 대비
클럭 주파수 133 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 -
엑세스 시간 4.2 나노 초 전압 - 공급 2.4V ~ 2.6V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 256-LBGA 공급자의 장치 패키지 256-cabga (17x17)
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Part Number Description
70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA
70T3509MS133BPI IC SRAM 36MBIT PAR 256CABGA
70T3539MS133BCI IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA
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70T3509MS133BPGI IC SRAM 36MBIT PAR 256CABGA
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70V3569S5BC8 IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA
70V3569S5BC IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA
70V3379S5BC IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA
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70V7319S166BCGI IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

전압 차단기 2 전극 차단기

사양

속성 속성 값
제조업자 통합 회로 시스템
제품 분류 메모리 IC
시리즈 70T3539M
종류 동기화
포장 트레이 대체 포장
장착 방식 SMD/SMT
패키지 케이스 256-LBGA
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 2.4V ~ 2.6V
공급자 제품 패키지 256-CABGA (17x17)
메모리 용량 18M (512K x 36)
메모리 타입 SRAM - 두 개의 포트, 동기화
속도 133MHz
접근 시간 4.2 ns
형식 메모리 RAM
최대 작동 온도 + 70C
작동 온도 범위 0 C
인터페이스 타입 병렬
조직 512 k x 36
공급 전류 최대 740mA
부분-#-위명 70T3539M IDT70T3539MS133BC
공급 전압 최대 2.6V
공급 전압-분 2.4V
패키지 케이스 CABGA-256
최대 시계 주파수 133 MHz

설명

SRAM - 듀얼 포트, 동기 메모리 IC 18Mb (512K x 36) 병렬 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V 듀얼 포트 램