DS3065W-100# IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA 아날로그 디바이스 인크./맥심 통합

브랜드 이름 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
모델 번호 DS3065W-100#
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
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제품 상세 정보
기억 영역형 비휘발성입니다 메모리 포맷 NVSRAM
기술 NVSRAM (비휘발성 SRAM) 메모리 용량 8Mbit
메모리구성 1M X 8 기억기접합 대비
클럭 주파수 - 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 100 나노 초
엑세스 시간 100 나노 초 전압 - 공급 3V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 256-bga 공급자의 장치 패키지 256-BGA(27x27)
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Part Number Description
DS3065W-100# IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA
DS3070W-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 256BGA
DS2030AB-100# IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
DS2030AB-70# IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
DS2030L-100# IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
DS2030W-100# IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
DS2030Y-100# IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
DS2030Y-70# IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
DS2045AB-100# IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
DS2045AB-70# IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
DS2045L-100# IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
DS2045W-100# IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
DS2045Y-100# IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
DS2045Y-70# IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
DS2050W-100# IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 256BGA
DS2065W-100# IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA
DS2070W-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 256BGA
DS3030W-100# IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
DS3045W-100# IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
DS3050W-100# IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 256BGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

세라믹 및 페리트 기술 경험 30 년 이상에 기초하여, Murata Electronics의 전 범위의 납 EMI 필터는 오늘날의 전자 산업 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.

무라타의 납장치는 페리트 진주 인덕터, 피드-스루 콘덴시터, 3 개의 터미널 콘덴시터, 바리스터 / 콘덴시터 일반 모드 스크로커 및 블록 필터로 구성됩니다.

사양

속성 속성 값
제조업자 맥심 통합
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이
패키지 케이스 256-BGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 3V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 256-BGA (27x27)
메모리 용량 8M (1M x 8)
메모리 타입 NVSRAM (비휘발성 SRAM)
속도 100n
형식 메모리 RAM

설명

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 IC 8Mb (1M x 8) 평행 100ns 256-BGA (27x27)