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DS3065W-100# IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA 아날로그 디바이스 인크./맥심 통합
| 브랜드 이름 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| 모델 번호 | DS3065W-100# |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | NVSRAM (비휘발성 SRAM) | 메모리 용량 | 8Mbit |
| 메모리구성 | 1M Ｘ 8 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 100 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 100 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 256-bga | 공급자의 장치 패키지 | 256-BGA(27x27) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS3065W-100# | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS3070W-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2030AB-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030AB-70# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030L-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030W-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030Y-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2030Y-70# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS2045AB-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045AB-70# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045L-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045W-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045Y-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2045Y-70# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2050W-100# | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2065W-100# | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS2070W-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS3030W-100# | IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA | |
| DS3045W-100# | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA | |
| DS3050W-100# | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 256BGA |
제품 설명
제품 세부 정보
세라믹 및 페리트 기술 경험 30 년 이상에 기초하여, Murata Electronics의 전 범위의 납 EMI 필터는 오늘날의 전자 산업 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
무라타의 납장치는 페리트 진주 인덕터, 피드-스루 콘덴시터, 3 개의 터미널 콘덴시터, 바리스터 / 콘덴시터 일반 모드 스크로커 및 블록 필터로 구성됩니다.
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 맥심 통합 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 트레이 |
| 패키지 케이스 | 256-BGA |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 256-BGA (27x27) |
| 메모리 용량 | 8M (1M x 8) |
| 메모리 타입 | NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
| 속도 | 100n |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 IC 8Mb (1M x 8) 평행 100ns 256-BGA (27x27)
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