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IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II 레네사스 전자제품 미국
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 사이프러스 반도체
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 동시에 일어나는, SDR |
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - 모바일 LPDDR |
AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 얼라이언스 메모리, 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO 마이크로 기술 인크
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP 르네상스 전자제품 미국
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 듀얼 포트, 동기식 |
IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM |