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SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 마이크로칩 기술

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | 플래시 |
---|---|---|---|
기술 | 플래시 | 메모리 용량 | 64Mbit |
메모리구성 | 4M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 10us |
엑세스 시간 | 70 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 48-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 48-TFBGA(6x8) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
SST38VF6401B-70I/CD | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
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SST38VF6404BT-70I/CD | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
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SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST38VF6402B-70-5I-B3KE | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST38VF6402B-70-5I-B3KE-T | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST38VF6403B-70-5I-B3KE | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST38VF6403B-70-5I-B3KE-T | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST38VF6404B-70-5I-B3KE | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST38VF6404B-70-5I-B3KE-T | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST38VF6404B-70-5I-CD | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST38VF6404BT-70-5I-CD | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST38VF6401-90-5I-B3KE-NCJ | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST39VF1601-70-4I-B3KE-T-MCH | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST39VF6401B-70-4I-B1KE-T-MCH | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST39VF800A-70-4I-B3KE-T-MCH | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
SST39VF3201C-70-4I-B3KE-T-VAO | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
제품 설명
SST38VF166는 세 개의 메모리 뱅크, 각각 512K x16 비트 섹터 모드 플래시 EEPROM 2개, SST의 독점 제품으로 제조된 4K x16 비트 워드 변경 가능한 E2PROM고성능 슈퍼 플래시 기술. SST38VF166는 단일 전원 공급 장치로 삭제 및 프로그램을 삭제합니다. E2 은행의 내부 삭제 / 프로그램은 사용자에게 투명합니다.이 장치는 단어 전체 기억에 대한 (제안된) JEDEC 표준 핀아웃에 적합합니다..
특징:
• 단일 2.7-3.6V 읽기 및 쓰기 작업• 코드 나 데이터 를 위한 별도의 메모리 뱅크
동시에 읽고 쓸 수 있는 능력
• 탁월 한 신뢰성
견고함:
E2 뱅크 - 500,000회 (유례)
플래시 뱅크 - 10만 회 (기반)
100년 이상 데이터 보존
• 낮은 전력 소모
액티브 전류, 읽기: 15mA (기반)
액티브 전류, 동시에 읽으며 쓰기: 40mA (보통)
대기 전류: 3μA (보통)
자동 저전력 모드 전류: 3μA (보통)
• 빠른 기록 작업
플래시 뱅크 지우기 + 프로그램: 8초 (보통)
플래시 블록 지우기 + 프로그램: 500ms (보통)
플래시 섹터 지우기 + 프로그램: 30ms (보통)
E2 은행 Word-Write: 9ms (보통)
• 삭제, 프로그램, 기록 시간 고정
자전거 를 타다 보면 항상 같은 자세 를 유지 하십시오
• 읽기 접근 시간
70 ns
• 연결 된 주소 및 데이터
• 글자 끝 을 탐지 하는 것
∙ 톡글 비트
데이터# 여론조사
• E2 은행:
Word-Write (프로그램 전에 자동 삭제)
세क्टर 지우기 (32 단어) + 워드 프로그램 (플래시 은행과 동일)
• 플래시 뱅크: 두 개의 작은 지우기 요소 크기
1 쿼드 또는 32 쿼드
Word-프로그램 전에 어떤 요소를 삭제
• CMOS I/O 호환성
• JEDEC 표준 명령어 세트
• 사용 가능한 패키지
48핀 TSOP (12mm x 20mm)
• 하드웨어 및 소프트웨어 데이터 보호 (SDP)
• 한 번 프로그래밍 가능한 (OTP) E2 부문
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 마이크로칩 기술 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | SST38 |
포장 | 트레이 대체 포장 |
장착 방식 | SMD/SMT |
작동 온도 범위 | - 40°C ~ + 85°C |
패키지 케이스 | 48-TFBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 48-TFBGA (6x8) |
메모리 용량 | 64M (4M x 16) |
메모리 타입 | 플래시 |
속도 | 70n |
건축물 | 부문 |
형식 메모리 | 플래시 |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 4 M x 16 |
공급 전류 최대 | 30mA |
데이터 버스 너비 | 16비트 |
공급 전압 최대 | 3.6V |
공급 전압-분 | 2.7V |
패키지 케이스 | TFBGA-48 |
타이밍 타입 | 비동기 |
설명
플래시 메모리 IC 64Mb (4M x 16) 병렬 70ns 48-TFBGA (6x8)
플래시 평행 3.3V 64M 비트 4M x 16 70ns 48 핀 TFBGA 트레이
플래시 메모리 64 Mbit x16 고급 멀티-퍼 플래시 플러스
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