MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 마이크론 테크놀로지 인크

브랜드 이름 Micron Technology Inc.
모델 번호 MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 용량 512Mbit
메모리구성 16M X 32 기억기접합 대비
클럭 주파수 200MHz 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 5 나노 초 전압 - 공급 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 90-vfbga 공급자의 장치 패키지 90-vfbga (8x13)
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Part Number Description
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-8 IT TR IC SDRAM 256MB 125MHZ 90-VFBGA
MT48H8M32LFB5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
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MT48H16M32L2B5-8 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
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MT48H16M32L2F5-10 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
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MT48LC4M32LFB5-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-7 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-7 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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MT48LC8M32LFB5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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MT48V4M32LFB5-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-10:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
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MT48V8M32LFB5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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MT48V8M32LFF5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
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MT46H8M32LFB5-6:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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MT48H8M32LFB5-75:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-5 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-5 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-6:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFB5-5 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-5 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
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MT46H4M32LFB5-6 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFB5-75 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-6 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-75 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-75 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-75:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 AT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC2M32B2B5-7:G IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

모바일 저전력 DDR SDRAM

특징

• VDD/VDDQ = 1.70~1.95V
• 데이터 바이트당 양방향 데이터 스트로브 (DQS)
• 내부, 파이프 라인 듀플 데이터 레이트 (DDR) 아키텍처, 클럭 사이클 당 두 개의 데이터 액세스
• 차차 시계 입력 (CK와 CK#)
• 각 긍정적 CK 가장자리에 입력 명령어
• DQS 가장자리가 READ의 데이터와 정렬되어 있고, 중앙은 WRITE의 데이터와 정렬되어 있습니다
• 4개의 내부 은행을 동시 운영
• 데이터 마스크 (DM) 는 기록 데이터를 마스크하기 위해, 바이트 당 하나의 마스크
• 프로그래밍 가능한 펄스트 길 (BL): 2, 4, 8, 또는 16
• 동시 자동 전 충전 옵션이 지원 됩니다
• 자동 갱신 및 자동 갱신 모드
1.8V LVCMOS 호환 입력
• 온도 보상 자신 갱신 (TCSR)
• 부분 배열 자신 갱신 (PASR)
• 깊은 전력 중단 (DPD)
• 상태 읽기 레지스터 (SRR)
• 선택 가능한 출력 드라이브 강도 (DS)
• 시계 정지 기능
• 64ms 갱신, 자동차 온도 32ms

사양

속성속성 값
제조업자마이크론 테크놀로지
제품 분류메모리 IC
시리즈-
포장테이프 & 롤 (TR) 대체 포장
패키지 케이스90VFBGA
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스병렬
전압 공급10.7V ~ 1.95V
공급자 제품 패키지90-VFBGA (8x13)
메모리 용량512M (16M x 32)
메모리 타입모바일 LPDDR SDRAM
속도200MHz
형식 메모리RAM

설명

SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 IC 512Mb (16M x 32) 병렬 200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)