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MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP 마이크론 테크놀로지 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR | 메모리 용량 | 512Mbit |
메모리구성 | 32M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 200MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
엑세스 시간 | 700이지 추신 | 전압 - 공급 | 2.5V ~ 2.7V |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 66 TSSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 66-TSOP |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT46V32M16P-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
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MT46V8M16TG-75:D | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V8M16TG-75:D TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V8M16P-75:D TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP | |
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MT46V16M16P-75:F TR | IC SDRAM DDR 256MB 66TSOP | |
MT46V32M16P-6T:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP | |
MT46V64M8P-5B:F TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M8P-6T:G TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP | |
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MT46V64M16P-6T IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP | |
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MT46V32M8P-5B IT:K TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V128M8P-6T IT:A | IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP | |
MT46V16M16P-5B:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-6T L IT:F | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP | |
MT46V64M16P-6T IT:A | IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP | |
MT46V64M4P-5B:K | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V64M4P-6T:K | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP | |
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MT46V16M16P-5B IT:K TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V16M16P-5B:K TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
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MT46V16M16P-6T:K TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP | |
MT46V32M16P-5B IT:F TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V128M4P-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V16M16P-5B IT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
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MT46V64M8P-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V64M8P-5B L IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-6T IT:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP | |
MT46V64M8TG-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V64M8TG-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V16M16P-5B XIT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-5B XIT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V128M4P-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V16M16P-5B IT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-5B AIT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-5B L:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-5B XIT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M8P-5B IT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M8P-5B:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V64M8P-5B AIT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V64M8P-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V64M8P-5B L IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V16M16P-5B AIT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-5B AIT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16P-5B L:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V64M8P-5B AIT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V64M8TG-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V64M8TG-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16TG-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16TG-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V32M16TG-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V16M16P-5B:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V16M16P-5B AIT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP | |
MT46V16M16P-5B XIT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP |
제품 설명
제품 세부 정보
기능 설명
DDR SDRAM은 고속 동작을 달성하기 위해 이중 데이터 레이트 아키텍처를 사용합니다.이중 데이터 레이트 아키텍처는 기본적으로 I/O 핀에서 시계 주기에 두 개의 데이터 단어를 전송하도록 설계된 인터페이스를 가진 2n-prefetch 아키텍처입니다DDR SDRAM에 대한 단일 읽기 또는 쓰기 액세스는 실제로 내부 DRAM 코어에서 단일 2n-비트 너비, 한 클럭 사이클 데이터 전송과 두 개의 대응 n-비트 너비로 구성됩니다.I/O 핀에서 반시간 주기 데이터 전송.
특징
• VDD = +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V• VDD = +2.6V ±0.1V, VDDQ = +2.6V ±0.1V (DDR400)
• 양방향 데이터 스트로브 (DQS) 전송
데이터, 즉 소스 동기 데이터와 함께 수신
캡처 (x16는 바이트당 2개의 1을 가지고 있습니다)
• 내부, 파이프 라인 된 이중 데이터 속도 (DDR)
아키텍처: 시계 주기에 두 개의 데이터 액세스
• 차차 시계 입력 (CK와 CK#)
• 각 긍정적 CK 가장자리에 입력 명령어
• DQS는 READ의 데이터와 가장자리를 맞추고 WRITE의 데이터와 중앙을 맞추고
• DQ 및 DQS 전환을 CK와 조화시키는 DLL
• 4개의 내부 은행이 동시 운영
• 데이터 마스크 (DM) 를 사용 하 여 기록 데이터 를 마스크
(x16는 바이트당 2개의 1을 가지고 있습니다)
• 프로그램 할 수 있는 폭발 길이: 2, 4 또는 8
• 자동 갱신
64ms, 8192 사이클 (상업 및 산업)
16ms, 8192 사이클 (자동차)
• 자동 갱신 (AT 장치에서는 사용할 수 없습니다)
• 신뢰성 향상을 위한 더 길게 진행되는 TSOP (OCPL)
• 2.5V I/O (SSTL_2 호환)
• 동시 자동 전 충전 옵션이 지원 됩니다
• tRAS 잠금 지원 (tRAP = tRCD)
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
패키지 케이스 | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm 너비) |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 2.5V ~ 2.7V |
공급자 제품 패키지 | 66-TSOP |
메모리 용량 | 512M (32M x 16) |
메모리 타입 | DDR SDRAM |
속도 | 5n |
형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR 메모리 IC 512Mb (32M x 16) 병렬 200MHz 700ps 66-TSOP
DRAM 칩 DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66핀 TSOP T/R
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