MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 마이크론 테크놀로지 인크

브랜드 이름 Micron Technology Inc.
모델 번호 MT48LC16M16A2P-6A :G TR
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM 메모리 용량 256Mbit
메모리구성 16M X 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 167 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 12 나노 초
엑세스 시간 5.4 나노 초 전압 - 공급 3V ~ 3.6V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 54 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) 공급자의 장치 패키지 54-TSOP II
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Part Number Description
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MT48LC32M8A2P-6A IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M8A2P-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC8M16A2P-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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MT48LC16M16A2P-7E AIT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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제품 세부 정보

일반 설명

256Mb SDRAM는 268MB의 고속 CMOS, 동적 무작위 액세스 메모리입니다.435,456 비트. 그것은 내부적으로 동기 인터페이스와 함께 쿼드 뱅크 DRAM으로 구성됩니다 (모든 신호는 시계 신호의 긍정적 인 가장자리에 등록됩니다.108864비트 은행은 8192줄, 2,048줄, 4비트로 구성되어 있습니다.108,864비트 은행은 8비트 × 1024 칼럼 × 8비트로 8,192줄로 구성되어 있습니다.108864비트 은행은 8192줄, 512줄, 16비트로 구성되어 있습니다.

특징

• PC100 및 PC133에 적합합니다.
• 완전히 동기화; 모든 신호는 시스템 시계의 긍정적 인 가장자리에 등록됩니다.
• 내부 파이프 라인 작업; 각 시계 주기로 열 주소를 변경할 수 있습니다.
• 숨겨진 행 접근/예전 충전용 내부 은행
• 프로그램 할 수 있는 래스트 길이: 1, 2, 4, 8, 또는 전체 페이지
• 자동 전 충전, 동시 자동 전 충전 및 자동 갱신 모드 포함
• 자동 업데이트 모드
• 64ms, 8,192 사이클 갱신
• LVTTL 호환 입력 및 출력
• 단일 +3.3V ±0.3V 전원 공급

사양

속성 속성 값
제조업자 마이크론 테크놀로지
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 대체 포장
패키지 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm 너비)
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 3V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 54-TSOP II
메모리 용량 256M (16M x 16)
메모리 타입 SDRAM
속도 167MHz
형식 메모리 RAM

설명

SDRAM 메모리 IC 256Mb (16M x 16) 병렬 167MHz 5.4ns 54-TSOP II