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AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA 얼라이언스 메모리, 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - 모바일 LPDDR |
IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 퍼슈도스태틱 메모리 |
| 기술: | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) |
CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 동기화, QDR IV |
7005L20JGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC 레네사스 전자제품 아메리카 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 듀얼 포트, 비동기식 |
AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 얼라이언스 메모리, 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR3 |
THGBMHG6C1LBAU6 IC 플래시 8GBIT EMMC 153WFBGA 키오시아 아메리카, 인크
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 - NAND (MLC) |
IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 동기식, DDR II |
STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP 사이프러스 반도체
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | NVSRAM |
| 기술: | NVSRAM (비휘발성 SRAM) |