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CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA 인피니언 테크놀로지

  • CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Infineon Technologies
브랜드 이름 Infineon Technologies
모델 번호
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
공급 능력 재고 중

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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 SRAM
기술 SRAM - 동기화, QDR IV 메모리 용량 72Mbit
메모리구성 4M Ｘ 18 기억기접합 대비
클럭 주파수 600 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 -
엑세스 시간 - 전압 - 공급 1.1V ~ 1.3V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 361-BBGA, FCBGA 공급자의 장치 패키지 361-FCBGA(21x21)
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4041KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4121KV13-667FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4141KV13-667FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4121KV13-633FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4141KV13-633FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4022KV13-933FCXI IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4022KV13-106FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4042KV13-106FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4122KV13-933FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4142KV13-933FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4042KV13-933FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4142KV13-106FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4142KV13-933FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4041KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4121KV13-600FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4042KV13-933FCXC CY7C4042KV13-933FCXC - 72-MBIT
CY7C4122KV13-933FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4122KV13-106FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4142KV13-933FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4122KV13-106FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4122KV13-933FCXC CY7C4122KV13-933FCXC
CY7C4121KV13-600FCXC CY7C4121KV13-600FCXC
CY7C4142KV13-933FCXC CY7C4142KV13-933FCXC
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

기능 설명

CY7C401과 CY7C403는 64개의 4비트 단어로 구성된 비동기적 첫 입구 첫 출구 (FIFO) 이다. CY7C402와 CY7C404는 64개의 5비트 단어로 구성된 유사한 FIFO이다.CY7C403와 CY7C404 모두 출력 활성화 (OE) 기능이 있습니다..

특징

• 64 x 4 (CY7C401 및 CY7C403) 64 x 5 (CY7C402 및 CY7C404) 초고속 첫 번째 출입 메모리 (FIFO)
• 최적의 속도/전력을 위해 고속 CMOS로 처리
• 25MHz 데이터 속도
• 50 ns 거품 통과 시간 25 MHz
• 단어 폭 및/또는 길이를 확장 할 수 있습니다
• 5 볼트 전원 공급 ± 10% 허용, 상업 및 군사
• 독립적인 비동기 입력과 출력
• TTL 호환 인터페이스
• CY7C403 및 CY7C404에서 사용할 수있는 출력 활성화 기능
• 2001V 이상의 전기 정전 충격을 견딜 수 있다.
• MMI 67401A/67402A와 호환되는 핀

사양

속성 속성 값
제조업자 사이프러스 반도체
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이
패키지 케이스 361-BBGA, FCBGA
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 1.1V ~ 1.3V
공급자 제품 패키지 361-FCBGA (21x21)
메모리 용량 72M (4M x 18)
메모리 타입 SRAM - 동기화, QDR IV
속도 600MHz
형식 메모리 RAM

설명

SRAM - 동기화, QDR IV 메모리 IC 72Mb (4M x 18) 병렬 600MHz 361-FCBGA (21x21)
SRAM 칩 동기화 단일 1.3V 72M-비트 4M x 18 361-핀 FCBGA 트레이
SRAM 동기화 SRAM
꼬리표:

안정적 플래쉬 메모리 IC

순간 메모리용 IC 비휘발성

SPI 플래쉬 메모리 IC