모든 제품
AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA 얼라이언스 메모리, 인크
| 브랜드 이름 | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| 모델 번호 | AS4C16M32MD1-5BCN |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
무료샘플과 쿠폰을 위해 나와 연락하세요.
왓츠앱:0086 18588475571
위챗: 0086 18588475571
스카이프: sales10@aixton.com
만약 당신이 어떠한 관심도 가지면, 우리가 24 시간 온라인 도움말을 제공합니다.
x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM - 모바일 LPDDR | 메모리 용량 | 512Mbit |
| 메모리구성 | 16M Ｘ 32 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 200MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 5 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -25' Ｃ ~ 85' Ｃ (TJ) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 90-vfbga | 공급자의 장치 패키지 | 90-FBGA(8x13) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C16M32MD1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BINTR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BIN | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BIN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BINTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
특징
• 조직: 1,048,576 단어 × 4 비트• 고속
- 40/50/60/70 ns RAS 접속 시간
- 20/25/30/35 ns 열 주소 접근 시간
- 10/13/15/18 ns CAS 접근 시간
• 낮은 전력 소비
- 액티브: 최대 385mW (-60)
대기 상태: 최대 5.5mW, CMOS I/O
• 빠른 페이지 모드 (AS4C14400) 또는 EDO (AS4C14405)
• 1024 리프레쉬 사이클, 16 ms 리프레쉬 간격
- RAS 전만 또는 CAS 전 RAS 갱신
• 읽기-변경-쓰기
• TTL 호환, 3 상태 I/O
• JEDEC 표준 패키지
- 300 밀리, 20/26 핀 SOJ
- 300 밀리, 20/26 핀 TSOP
• 단일 5V 전원 공급
• ESD 보호 ≥ 2001V
• 잠금 전류 ≥ 200mA
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 얼라이언스 메모리, 인크 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 90VFBGA |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C (TJ) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 10.7V ~ 1.95V |
| 공급자 제품 패키지 | 90-FBGA (8x13) |
| 메모리 용량 | 512M (16M x 32) |
| 메모리 타입 | 모바일 DDR SDRAM |
| 속도 | 200MHz |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 IC 512Mb (16M x 32) 병렬 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 모바일 DDR
추천된 제품
