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AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 얼라이언스 메모리, 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR3 | 메모리 용량 | 4Gbit |
메모리구성 | 512M X 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 800 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
엑세스 시간 | 20 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.425V ~ 1.575V |
작동 온도 | -40' C ~ 105' C (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 78-FBGA | 공급자의 장치 패키지 | 78-에프비지에이 (9x10.5) |
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Part Number | Description | |
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AS4C1G8D3LA-10BCN | IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA | |
AS4C1G8D3LA-10BCNTR | IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA | |
AS4C512M8D3-12BAN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
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AS4C512M8D3-12BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
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AS4C512M8D3L-12BAN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
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AS4C512M8D3LB-12BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
AS4C512M8D3LB-10BIN | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
AS4C512M8D3LB-10BCNTR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
AS4C512M8D3LB-10BCN | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
AS4C512M8D3LB-10BINTR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA |
제품 설명
사양
속성 | 속성 값 |
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제조업자 | 얼라이언스 메모리, 인크 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | AS4C512M8D3 |
종류 | DDR3 |
포장 | 트레이 대체 포장 |
장착 방식 | SMD/SMT |
패키지 케이스 | 78-FBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TC) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 1.425V ~ 1.575V |
공급자 제품 패키지 | 78-FBGA (9x10.5) |
메모리 용량 | 4G (512M x 8) |
메모리 타입 | DDR3 SDRAM |
속도 | 800MHz |
접근 시간 | 130.75 ns |
형식 메모리 | RAM |
조직 | 512 M x 8 |
공급 전류 최대 | 82mA |
데이터 버스 너비 | 8비트 |
공급 전압 최대 | 1.575V |
공급 전압-분 | 1.283V |
패키지 케이스 | FBGA-78 |
최대 시계 주파수 | 800 MHz |
설명
SDRAM - DDR3 메모리 IC 4Gb (512M x 8) 평행 800MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5)
DRAM 4G 1.5V 1600Mhz 512M x 8 DDR3
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