IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크

브랜드 이름 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
모델 번호 IS66WVH8M8BLL-100B1LI
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 퍼슈도스태틱 메모리
기술 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) 메모리 용량 64Mbit
메모리구성 8M X 8 기억기접합 대비
클럭 주파수 100 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 40 나노 초
엑세스 시간 40 나노 초 전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 24-tbga 공급자의 장치 패키지 24-TFBGA(6x8)
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Part Number Description
IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS25LP256D-RHLE IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS66WVH16M8DALL-166B1LI IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS25WP128-RHLE IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH8M8ALL-166B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS25WP256D-RHLE IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP064A-RHLE-TR IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
IS25WP064A-RHLE IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
IS25WP128-RHLE-TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS25LP256D-RHLE-TR IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP256D-RHLE-TR IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS25LP512M-RHLE-TR IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
IS25LP512M-RHLE IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP128-RGLE IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP128-RGLE-TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS25LP256D-RGLE-TR IC FLASH 256MBIT SERIAL 24TFBGA
IS25LP512M-RGLE-TR IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
IS25LP256D-RGLE IC FLASH 256MBIT SERIAL 24TFBGA
IS25LP512M-RGLE IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

설명

The IS66_ series are optically coupled isolators consisting of infrared light emitting diode and a high voltage NPN silicon photo darlington which has an integral base-emitter resistor to optimise switching speed and elevated temperature characteristics in a standard 6pin dual in line plastic package.

특징

• 옵션: -
10mm 리드 스프레이 - 부분 번호 뒤에 G를 추가합니다.
표면 장착 - 부분 번호 뒤에 SM을 추가합니다.
테이프&필 - 부분 번호 뒤에 SMT&R을 추가합니다.
• 고 격리 전압 (5.3kVRMS,7.5kVPK)
높은 전류 전송 비율 (min 1000%)
• 높은 BVCEO (400V 미니 - IS662)
300V 미니 - IS661)
(200V 미니 - IS660)

응용 프로그램

• 모덤
• 복사기, 팩시밀
• 수계 제어 기계
• 서로 다른 잠재력 및 장애의 시스템 사이의 신호 전송

사양

속성 속성 값
제조업자 ISSI
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이
상표명 하이퍼 램
패키지 케이스 24-TBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 2.7V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 24-TFBGA (6x8)
메모리 용량 64M (8M x 8)
메모리 타입 PSRAM (위조)
속도 100MHz
형식 메모리 RAM

설명

PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 IC 64Mb (8M x 8) 병렬 100MHz 40ns 24-TFBGA (6x8)
SRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz 하이퍼 램