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IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | 퍼슈도스태틱 메모리 |
---|---|---|---|
기술 | 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) | 메모리 용량 | 64Mbit |
메모리구성 | 8M X 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 100 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 40 나노 초 |
엑세스 시간 | 40 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 24-tbga | 공급자의 장치 패키지 | 24-TFBGA(6x8) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS66WVH8M8BLL-100B1LI | IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA | |
IS25LP256D-RHLE | IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA | |
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI | IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA | |
IS66WVH16M8DALL-166B1LI | IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA | |
IS25WP128-RHLE | IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA | |
IS66WVH8M8ALL-166B1LI | IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA | |
IS25WP256D-RHLE | IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA | |
IS25WP064A-RHLE-TR | IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA | |
IS25WP064A-RHLE | IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA | |
IS25WP128-RHLE-TR | IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA | |
IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR | IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA | |
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR | IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA | |
IS25LP256D-RHLE-TR | IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA | |
IS25WP256D-RHLE-TR | IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA | |
IS25LP512M-RHLE-TR | IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA | |
IS25LP512M-RHLE | IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA | |
IS25WP128-RGLE | IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA | |
IS25WP128-RGLE-TR | IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA | |
IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR | IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA | |
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR | IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA | |
IS25LP256D-RGLE-TR | IC FLASH 256MBIT SERIAL 24TFBGA | |
IS25LP512M-RGLE-TR | IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA | |
IS25LP256D-RGLE | IC FLASH 256MBIT SERIAL 24TFBGA | |
IS25LP512M-RGLE | IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
The IS66_ series are optically coupled isolators consisting of infrared light emitting diode and a high voltage NPN silicon photo darlington which has an integral base-emitter resistor to optimise switching speed and elevated temperature characteristics in a standard 6pin dual in line plastic package.
특징
• 옵션: -10mm 리드 스프레이 - 부분 번호 뒤에 G를 추가합니다.
표면 장착 - 부분 번호 뒤에 SM을 추가합니다.
테이프&필 - 부분 번호 뒤에 SMT&R을 추가합니다.
• 고 격리 전압 (5.3kVRMS,7.5kVPK)
높은 전류 전송 비율 (min 1000%)
• 높은 BVCEO (400V 미니 - IS662)
300V 미니 - IS661)
(200V 미니 - IS660)
응용 프로그램
• 모덤• 복사기, 팩시밀
• 수계 제어 기계
• 서로 다른 잠재력 및 장애의 시스템 사이의 신호 전송
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 |
상표명 | 하이퍼 램 |
패키지 케이스 | 24-TBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 24-TFBGA (6x8) |
메모리 용량 | 64M (8M x 8) |
메모리 타입 | PSRAM (위조) |
속도 | 100MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 IC 64Mb (8M x 8) 병렬 100MHz 40ns 24-TFBGA (6x8)
SRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz 하이퍼 램
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