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IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 동기식, DDR II | 메모리 용량 | 18Mbit |
메모리구성 | 1M x 18 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 300MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | - | 전압 - 공급 | 1.71V ~ 1.89V |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 165-lbga | 공급자의 장치 패키지 | 165-LFBGA(13x15) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS61DDB21M18A-300B4L | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDB21M18A-250B4LI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M18A-300M3L | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB24M18A-300B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDB22M36A-333B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDB24M18A-300B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDB24M18A-250B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M36A-300B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36-250M3 | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M18-250M3 | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36-275M3 | IC SRAM 36MBIT PAR 165LFBGA | |
IS61DDB21M36A-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M18-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M18A-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB41M36A-450B4I | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36C-250M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36C-300M3 | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB21M36C-300M3L | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61DDB22M18C-250B4LI | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A1-550B4L | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A1-550B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A2-550B4L | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A2-550B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A-550B4L | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | |
IS61QDPB42M36A-550B4LI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
ISSI IS61C67는 고속, 저전력, 16384 단어 bgy 1 비트 CMOS 정적 RAM이다.이 매우 신뢰할 수 있는 과정과 혁신적인 회로 설계 기술, 최대 15ns의 접근 시간을 제공합니다.
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 |
패키지 케이스 | 165-LBGA |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
인터페이스 | 공동 I/O |
전압 공급 | 10.71V ~ 1.89V |
공급자 제품 패키지 | 165-LFBGA (13x15) |
메모리 용량 | 18M (1M x 18) |
메모리 타입 | SRAM - 동기화, DDR II |
속도 | 300MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
SRAM - 동기 DDR II 메모리 IC 18Mb (1M x 18) 병렬 300MHz 165-LFBGA (13x15)
SRAM 칩 동기화 듀얼 1.8V 18M-비트 1M x 18 0.45ns 165-핀 LFBGA
SRAM 18Mb, 1M x 18 DDR-II 동기화 SRAM
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