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IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | DRAM |
기술: | SDRAM |
MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 마이크론 테크놀로지 인크
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | DRAM |
기술: | SDRAM |
AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC 레네사스 디자인 독일 GmbH
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | 플래시 |
기술: | 플래시 |
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP 마이크론 테크놀로지 인크
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | DRAM |
기술: | SDRAM - DDR |
IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | SRAM |
기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMicroelectronics
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | EEPROM |
기술: | EEPROM |