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70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA 레네사스 전자제품 아메리카 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 듀얼 포트, 비동기식 |
CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA 사이프러스 반도체
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 동기화, QDR II |
MT25QL128ABA8E12-0SIT IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA 마이크로 기술 인크
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |