IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

브랜드 이름 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
모델 번호 IS61WV25616BLL-10BLI
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 SRAM
기술 SRAM - 비동시적입니다 메모리 용량 4Mbit
메모리구성 256K x 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 - 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 10 나노 초
엑세스 시간 10 나노 초 전압 - 공급 2.4V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 48-tfbga 공급자의 장치 패키지 48-TFBGA(6x8)
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Part Number Description
IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
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IS62WV20488EBLL-45BLI-TR IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS62WV20488EBLL-55BLI-TR IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS64WV25616EDBLL-10BA3 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WV1M16DBLL-70BLI IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WV51216EBLL-55BLI IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WV51216EBLL-55BLI-TR IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE1M16EBLL-55BLI IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE4M16ALL-70BLI IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE4M16EBLL-55BLI IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE1M16BLL-70BLI IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS62WV25616DALL-55BI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS62WV25616DALL-55BI -TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS62WV25616DALL-55BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS62WV25616DALL-55BLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS62WV25616DBLL-45BI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS62WV25616DBLL-45BI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE2M16ALL-7010BLI IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE2M16ALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE4M16ALL-7010BLI IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS61WV102416DALL-10BLI IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
IS61WV102416DALL-10BLI-TR IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
IS61WV204816ALL-10BLI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS61WV204816ALL-10BLI-TR IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS29LV032T-70BLI IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS29LV032B-70BLI IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

설명

ISSIIS61WV102416ALL/BLL 및 IS64WV102416BLL는 16M-bit 정적 RAM로 16비트로 1024K 단어로 구성되어 있으며, ISSII의 고성능 CMOS 기술을 사용하여 제조되었습니다.이 매우 신뢰할 수 있는 과정과 혁신적인 회로 설계 기술, 높은 성능과 낮은 전력 소비 장치를 생산합니다.

특징

• 고속 접속 시간: 8, 10, 20 ns
• 고성능, 저전력 CMOS 프로세스
• 더 큰 소음 보호 를 위해 여러 개의 중앙 전력 및 지상 핀
• CE 및 OE 옵션으로 쉽게 메모리 확장
• CE 전원 차단
• 완전 정적 작동: 시계 또는 갱신 필요 없습니다
• TTL 호환 입력과 출력
• 단일 전원 공급
VDD 1.65V ~ 2.2V (IS61WV102416ALL)
속도 = VDD 1.65V ~ 2.2V에 20ns
VDD 2.4V ~ 3.6V (IS61/64WV102416BLL)
속도는 VDD 2.4V에서 3.6V의 10ns입니다.
속도는 VDD 3.3V + 5%에서 8ns입니다.
• 사용 가능한 패키지:
48볼 미니BGA (9mm x 11mm)
48pin TSOP (형 I)
• 산업용 및 자동차용 온도 지원
• 납 없는 제품
• 위와 하위 바이트에 대한 데이터 제어

사양

속성 속성 값
제조업자 ISSI
제품 분류 메모리 IC
시리즈 IS61WV25616BLL
종류 비동기
포장 트레이 대체 포장
장착 방식 SMD/SMT
패키지 케이스 48-TFBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 2.4V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 48-미니BGA (6x8)
메모리 용량 4M (256K x 16)
메모리 타입 SRAM - 비동기
속도 10n
데이터 비율 SDR
접근 시간 10 ns
형식 메모리 RAM
최대 작동 온도 + 85 C
작동 온도 범위 - 40C
인터페이스 타입 병렬
조직 256k x 16
공급 전류 최대 45mA
공급 전압 최대 3.6V
공급 전압-분 2.4V
패키지 케이스 BGA-48

기능적 호환성 부품

양식, 패키지, 기능적 호환성 부품

제조자 부분# 설명 제조업자 비교
IS61WV25616BLL-10BI
기억력
표준 SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 통합 실리콘 솔루션 IS61WV25616BLL-10BLI 대 IS61WV25616BLL-10BI

설명

SRAM - 비동기 메모리 IC 4Mb (256K x 16) 평행 10ns 48-미니BGA (6x8)
SRAM 칩 비동기 단일 2.5V/3.3V 4M-비트 256K x 16 10ns 48 핀 미니 BGA
SRAM 4Mb 256Kx16 10ns 비동기 SRAM 3.3v