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S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA 인피니언 테크놀로지

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | 플래시 |
---|---|---|---|
기술 | 플래시 -도 또한 | 메모리 용량 | 8Mbit |
메모리구성 | 1M X 8, 512K X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 70 나노 초 |
엑세스 시간 | 70 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 48-vfbga | 공급자의 장치 패키지 | 48-에프비지에이 (8.15x6.15) |
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Part Number | Description | |
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S29AL008J70BFI023 | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA | |
S29AL016J70BFN020 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48FBGA | |
S29AL008J70BFI022 | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA | |
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CY7C1069DV33-10BVXI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
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CY7C1061DV33-10BVXI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
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S29GL064S90BHI043 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA | |
S29GL064S90BHI040 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA | |
S29GL064S90BHA040 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY62167DV30LL-55BVXI | STANDARD SRAM, 1MX16, 55NS, CMOS |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
S29AL008D는 8 Mbit, 3.0 볼트 플래시 메모리입니다.048,576 바이트 또는 524,288 단어. 이 장치는 48 볼 FBGA, 44 핀 SO 및 48 핀 TSOP 패키지로 제공됩니다. 자세한 내용은 출판 번호 21536을 참조하십시오.전 세계 데이터 (x16) 는 DQ15?? DQ0에 표시됩니다.; 바이트 폭 (x8) 데이터는 DQ7 DQ0에 표시됩니다. 이 장치는 읽기, 프로그램 및 삭제 작업을 수행하기 위해 단일 3.0 볼트 VCC 공급 장치 만 필요합니다.표준 EPROM 프로그래머는 또한 프로그램 및 장치를 지우기 위해 사용할 수 있습니다.
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 사이프러스 반도체 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | AL-J |
포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
패키지 케이스 | 48-VFBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 48-FBGA (8.15x6.15) |
메모리 용량 | 8M (1M x 8 또는 512K x 16) |
메모리 타입 | 플래시 - NOR |
속도 | 70n |
형식 메모리 | 플래시 |
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
AT49BV802D-70CU 기억력 |
플래시, 512KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, PLASTIC, CBGA-48 | 아트멜 코퍼레이션 | S29AL008J70BFI023 대 AT49BV802D-70CU |
S29AL008J70BFI020 기억력 |
플래시, 512KX16, 70ns, PBGA48, FPBGA-48 | 사이프러스 반도체 | S29AL008J70BFI023 대 S29AL008J70BFI020 |
M29W800DB70ZE6 기억력 |
512KX16 플래시 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48 | STM이크로전자 | S29AL008J70BFI023 대 M29W800DB70ZE6 |
M29W800DB70ZE6E 기억력 |
플래시, 512KX16, 70ns, PBGA48, TFBGA-48 | 미크론 기술 | S29AL008J70BFI023 대 M29W800DB70ZE6E |
S29AL008D70BFI020 기억력 |
플래시, 512KX16, 70ns, PBGA48, 8.15 X 6.15 MM, 리드 무료, FBGA-48 | 사이프러스 반도체 | S29AL008J70BFI023 대 S29AL008D70BFI020 |
S29AL008J70BFI022 기억력 |
플래시, 512KX16, 70ns, PBGA48, FPBGA-48 | 사이프러스 반도체 | S29AL008J70BFI023 대 S29AL008J70BFI022 |
S29AL008J70BFN020 기억력 |
플래시, 512KX16, 70ns, PBGA48, FPBGA-48 | 사이프러스 반도체 | S29AL008J70BFI023 대 S29AL008J70BFN020 |
MX29LV800BBXEI-70G 기억력 |
플래시, 512KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1.30 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, 납 없는, 플라스틱, MO-219, CSP-48 | 마크로닉스 인터내셔널 코 Ltd | S29AL008J70BFI023 대 MX29LV800BBXEI-70G |
M29W800DB70ZE6F 기억력 |
플래시, 512KX16, 70ns, PBGA48, TFBGA-48 | 미크론 기술 | S29AL008J70BFI023 대 M29W800DB70ZE6F |
S29AL008J70BFN040 기억력 |
플래시, 512KX16, 70ns, PBGA48, FPBGA-48 | 사이프러스 반도체 | S29AL008J70BFI023 대 S29AL008J70BFN040 |
설명
플래시 - NOR 메모리 IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 평행 70ns 48-FBGA (8.15x6.15)
NOR 플래시 평행 3V/3.3V 8M 비트 1M x 8/512K x 16 70ns 48 핀 VFBGA T/R
플래시 메모리 IC 8M 플래시 메모리
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