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IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
| 브랜드 이름 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| 모델 번호 | IS42S16160J-7BLI |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM | 메모리 용량 | 256Mbit |
| 메모리구성 | 16M Ｘ 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 143 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
| 엑세스 시간 | 5.4 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 54-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 54-tfbga (8x8) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS42S16160J-7BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42VM16160K-75BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-7BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160J-7BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
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| IS45VM16800E-75BLA1 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45VM16800E-75BLA1-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45VM16800E-75BLA2 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45VM16800E-75BLA2-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-6BI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-6B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-7BI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-7B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-6B | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-6BI | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-7B | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-7BI | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
설명 ISSI 즈 16Mb 동기 DRAM IS42S16100는 향상된 성능을 위해 524,288 단어 x 16 비트 x 2 뱅크로 구성되어 있습니다.동기 DRAM은 파이프라인 구조를 사용하여 고속 데이터 전송을 달성합니다.모든 입력 및 출력 신호는 시계 입력의 상승 가장자리에 참조.
특징
• 시계 주파수: 166, 143, 100 MHz• 완전 동기화; 모든 신호는 긍정적 인 시계 가장자리에 참조됩니다.
• 두 개의 은행이 동시에 독립적으로 운영될 수 있습니다
• A11 (은행 선택) 에 의해 통제되는 이중 내부 은행
• 단일 3.3V 전원 공급
• LVTTL 인터페이스
• 프로그램 할 수 있는 폭발 길이 (1, 2, 4, 8, 전체 페이지)
• 프로그래밍 가능한 폭발 순서: 순서 / 간격
• 자동 갱신, 자기 갱신
• 128ms 마다 4096번 갱신 주기로
• 각 시계 사이클의 무작위 열 주소
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 시간 (2, 3 시간)
• 퍼스트 읽기 / 쓰기 및 퍼스트 읽기 / 단일 쓰기 작업 기능
• 폭발 중지 및 전 충전 명령에 의해 폭발 종료
• LDQM 및 UDQM에 의해 제어 바이트
• 패키지 400 밀리 50 핀 TSOP II
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | ISSI |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 54-TFBGA |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 54-TFBGA (8x8) |
| 메모리 용량 | 256M (16M x 16) |
| 메모리 타입 | SDRAM |
| 속도 | 143MHz |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM 메모리 IC 256Mb (16M x 16) 병렬 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
DRAM 칩 SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54핀 TFBGA
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 볼 BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
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