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IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR2 |
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP 아날로그 디바이스 인크./맥심 통합
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | NVSRAM |
| 기술: | NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 - NAND |