W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA 윈본드 전자

브랜드 이름 Winbond Electronics
모델 번호 W949D6DBHX5I
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가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 용량 512Mbit
메모리구성 32M X 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 200MHz 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 5 나노 초 전압 - 공급 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 60-tfbga 공급자의 장치 패키지 60-vfbga (8x9)
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Part Number Description
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W948D6KBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-75:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W948D6FBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5I IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5J IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

일반 설명

W9425G6DH는 CMOS 듀얼 데이터 레이트 동기 동적 무작위 액세스 메모리 (DDR SDRAM) 로 구성되어 있으며,194파이프라인 아키텍처와 0.11μm 프로세스 기술을 사용하여 W9425G6DH는 초당 최대 500M 단어 (-4) 의 데이터 대역폭을 제공합니다.개인용 컴퓨터 산업 표준을 완전히 준수하기, W9425G6DH는 -4, -5, -6 및 -75의 네 가지 속도 등급으로 분류됩니다. -4은 DDR500/CL3 사양에 적합합니다. -5은 DDR400/CL3 사양에 적합합니다.-6은 DDR333/CL2에 적합합니다.5 사양 (-40°C ~ 85°C를 지원할 수 있는 보장된 -6I 등급) -75은 DDR266/CL2 사양 (-40°C ~ 85°C를 지원할 수 있는 보장된 75I 등급) 에 적합합니다.

특징

• 2.5V ± 0.2V 전원 공급 장치 DDR266/DDR333
• DDR400/DDR500용 2.6V ±0.1V 전원 공급
• 최대 250MHz 시계 주파수
• 이중 데이터 레이트 아키텍처, 시계 주기로 두 개의 데이터 전송
• 차차 시계 입력 (CLK 및 CLK)
• DQS는 읽기용 데이터와 가장자리에 정렬되어 있으며, 쓰기용 데이터와 중앙에 정렬되어 있습니다.
• CAS 지연: 2, 2.5 및 3
• 폭발 길이: 2, 4 및 8
• 자동 갱신 및 자기 갱신
• 전 충전 된 전원 종료 및 활성 전원 종료
• 데이터 마스크를 작성
• Latency = 1을 적어
• 7. 8μS 갱신 간격 (8K / 64 mS 갱신)
• 최대 급격한 갱신 주기는: 8
인터페이스: SSTL_2
• TSOP II 66 핀, 400 밀리, 0.65mm 핀 피치로 포장되어, Pb가 사용되지 않고 RoHS를 준수합니다.

사양

속성 속성 값
제조업자 윈본드 전자제품
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이 대체 포장
패키지 케이스 60-TFBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 10.7V ~ 1.95V
공급자 제품 패키지 60-VFBGA (8x9)
메모리 용량 512M (32M x 16)
메모리 타입 모바일 LPDDR SDRAM
속도 200MHz
형식 메모리 RAM

설명

SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 IC 512Mb (32M x 16) 병행 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
DRAM 칩 모바일 LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-핀 VFBGA