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IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR2 | 메모리 용량 | 1Gbit |
메모리구성 | 128M X 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 400 MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
엑세스 시간 | 400이지 추신 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
작동 온도 | 0' C ~ 85' C (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 60-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 60-TWBGA(8x10.5) |
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Part Number | Description | |
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IS43DR86400E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
특징
● 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V● 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
● 시스템과 함께 고속 데이터 전송 속도
933 MHz까지의 주파수
● 동시 운영 을 위한 8 개 의 내부 은행
● 8n 비트 프리 포치 구조
● 프로그래밍 가능한 CAS 지연
● 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
● tCK 를 기반으로 프로그래밍 할 수 있는 CAS WRITE 지연 (CWL)
● 프로그램 할 수 있는 폭발 길기: 4 및 8
● 프로그램 할 수 있는 폭발 순서: 순서적 또는 간간적
● BL 스위치 를 바로 가십시오
● 자동 자동 갱신 (ASR)
● 자기 갱신 온도 (SRT)
● 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
● 부분 배열 자기 갱신
● 비동기적 인 RESET 핀
● TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
● OCD (오프 칩 드라이버 저항 조절)
● 다이내믹 ODT (동식 종식)
● 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● 적어 놓음
● DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
● 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
제조업자 | ISSI |
제품군 | DRAM |
RoHS | 세부 사항 |
브랜드 | ISSI |
설명
SDRAM - DDR2 메모리 IC 1Gb (128M x 8) 병렬 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
DRAM 칩 DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-핀 TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 128Mx8
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