모든 제품
담당자 : Zhao
전화 번호 : +8613724359686
왓츠앱 : +8618018788085

IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크

  • IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
브랜드 이름 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
모델 번호 IS43DR81280C-25DBL
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
공급 능력 재고 중

무료샘플과 쿠폰을 위해 나와 연락하세요.

왓츠앱:0086 18588475571

위챗: 0086 18588475571

스카이프: sales10@aixton.com

만약 당신이 어떠한 관심도 가지면, 우리가 24 시간 온라인 도움말을 제공합니다.

x
제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - DDR2 메모리 용량 1Gbit
메모리구성 128M Ｘ 8 기억기접합 대비
클럭 주파수 400 MHz 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 400이지 추신 전압 - 공급 1.7V ~ 1.9V
작동 온도 0' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 60-tfbga 공급자의 장치 패키지 60-TWBGA(8x10.5)
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
IS43DR86400E-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
메시지를 남겨주세요
Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

특징

● 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
● 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
● 시스템과 함께 고속 데이터 전송 속도
933 MHz까지의 주파수
● 동시 운영 을 위한 8 개 의 내부 은행
● 8n 비트 프리 포치 구조
● 프로그래밍 가능한 CAS 지연
● 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
● tCK 를 기반으로 프로그래밍 할 수 있는 CAS WRITE 지연 (CWL)
● 프로그램 할 수 있는 폭발 길기: 4 및 8
● 프로그램 할 수 있는 폭발 순서: 순서적 또는 간간적
● BL 스위치 를 바로 가십시오
● 자동 자동 갱신 (ASR)
● 자기 갱신 온도 (SRT)
● 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
● 부분 배열 자기 갱신
● 비동기적 인 RESET 핀
● TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
● OCD (오프 칩 드라이버 저항 조절)
● 다이내믹 ODT (동식 종식)
● 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● 적어 놓음
● DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
● 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)

사양

속성 속성 값
제조업자 ISSI
제품 분류 메모리 IC
제조업자 ISSI
제품군 DRAM
RoHS 세부 사항
브랜드 ISSI

설명

SDRAM - DDR2 메모리 IC 1Gb (128M x 8) 병렬 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
DRAM 칩 DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-핀 TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 128Mx8
꼬리표:

안정적 플래쉬 메모리 IC

순간 메모리용 IC 비휘발성

SPI 플래쉬 메모리 IC