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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP 아날로그 디바이스 인크./맥심 통합
| 브랜드 이름 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| 모델 번호 | DS1225AD-200+ |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | NVSRAM (비휘발성 SRAM) | 메모리 용량 | 64Kbit |
| 메모리구성 | 8K Ｘ 8 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 200 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 200 나노 초 | 전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 구멍을 통해 |
| 패키지 / 케이스 | 28-DIP 모듈 (0.600", 15.24mm) | 공급자의 장치 패키지 | 28-EDIP |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1225AD-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-70+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-70IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-150+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AD-150+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-100+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-70IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-85+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-85+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-150IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-200+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-70IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-170+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-200+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-150+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-150+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-85+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AD-150IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-100+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-150+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-70+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AD-200IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230W-100+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-200IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-70+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-200IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-170+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-85+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-100IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-150 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-200 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-200 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-100 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-70 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-70 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-200IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-85 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-85 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-150 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-150 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-200 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-200 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-70IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-150IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-200IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-150IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-100 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-150 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-150 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-85 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-100 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-85 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-200IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-200IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-70IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-70 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-70IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230W-100IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225Y-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225Y-150+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225Y-150IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225Y-200IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
DS1225AB와 DS1225AD는 8비트 8192 단어로 구성된 65,536비트, 완전히 정적, 비휘발성 SRAM이다.각 NV SRAM에는 독립된 리?? 에너지 원과 제어 회로가 있습니다..
특징
외부 전원이 없는 경우 최소 10년 데이터 보존전력 손실 시 데이터가 자동으로 보호 됩니다.
8k x 8 휘발성 정적 RAM 또는 EEPROM을 직접 대체합니다.
무제한 쓰기 주기는
저전력 CMOS
JEDEC 표준 28핀 DIP 패키지
읽기 및 쓰기 액세스 시간은 70 ns까지 빠르다
리?? 에너지 소스는 처음으로 전원을 적용 할 때까지 신선도를 유지하기 위해 전기적으로 단속됩니다.
전체 ±10% VCC 작동 범위 (DS1225AD)
선택적으로 ±5% VCC 작동 범위 (DS1225AB)
선택적 산업 온도 범위 -40°C ~ +85°C, IND로 지정
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 맥심 통합 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | DS1225AD |
| 포장 | 튜브 |
| 장착 방식 | 구멍을 통해 |
| 패키지 케이스 | 28-DIP 모듈 (0.600", 15.24mm) |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 공급자 제품 패키지 | 28-EDIP |
| 메모리 용량 | 64K (8K x 8) |
| 메모리 타입 | NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
| 속도 | 200n |
| 접근 시간 | 200 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 70C |
| 작동 온도 범위 | 0 C |
| 가동 공급 전류 | 75mA |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 8k x 8 |
| 부분-#-위명 | 90-1225A+D00 DS1225AD |
| 데이터 버스 너비 | 8비트 |
| 공급 전압 최대 | 5.5V |
| 공급 전압-분 | 4.5V |
| 패키지 케이스 | EDIP-28 |
기능적 호환성 부품
양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| DS1225Y-200+ 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS 컴플라이언트, DIP-28 | Maxim 통합 제품 | DS1225AD-200+ 대 DS1225Y-200+ |
| DS1225AB-200IND 기억력 |
8KX8 비휘발성 SRAM 모듈, 200ns, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28 | 로체스터 전자제품 LLC | DS1225AD-200+ 대 DS1225AB-200IND |
| DS1225Y-200 기억력 |
휘발성 없는 SRAM 모듈, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, DIP-28 | Maxim 통합 제품 | DS1225AD-200+ 대 DS1225Y-200 |
| DS1225AD-200 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.720 INCH, 확장, DIP-28 | 댈러스 반도체 | DS1225AD-200+ 대 DS1225AD-200 |
| DS1225AB-200IND+ 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, ROHS 컴플라이언트, DIP-28 | Maxim 통합 제품 | DS1225AD-200+ 대 DS1225AB-200IND+ |
| BQ4010MA-200 기억력 |
8KX8 비휘발성 SRAM 모듈, 200ns, DMA28, DIP-28 | 텍사스 인스트루먼트 | DS1225AD-200+ 대 BQ4010MA-200 |
| BQ4010YMA-200 기억력 |
8KX8 비휘발성 SRAM 모듈, 200ns, PDIP28 | 텍사스 인스트루먼트 | DS1225AD-200+ 대 BQ4010YMA-200 |
| DS1225AB-200 기억력 |
8KX8 비휘발성 SRAM 모듈, 200ns, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28 | 로체스터 전자제품 LLC | DS1225AD-200+ 대 DS1225AB-200 |
| DS1225AB-200+ 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, ROHS 컴플라이언트, DIP-28 | Maxim 통합 제품 | DS1225AD-200+ 대 DS1225AB-200+ |
| DS1225AD-200IND+ 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0.720 INCH, ROHS 컴플라이언트, DIP-28 | Maxim 통합 제품 | DS1225AD-200+ 대 DS1225AD-200IND+ |
설명
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 IC 64Kb (8K x 8) 평행 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k 비휘발성 SRAM
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