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키워드 [ ic ] 시합 1991 상품.
AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 얼라이언스 메모리, 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - 모바일 LPDDR |
CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 사이프러스 반도체
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 동시에 일어나는, SDR |
IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II 레네사스 전자제품 미국
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
CY7C1355C-133AXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 동시에 일어나는, SDR |
CY7C145-15AXC IC SRAM 72KBIT PARALLEL 80TQFP 사이프러스 반도체
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 듀얼 포트, 비동기식 |
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR2 |
71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 레네사스 전자제품 아메리카 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |