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키워드 [ ic ] 시합 1991 상품.
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP 레네사스 디자인 독일 GmbH
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | 플래시 |
기술: | 플래시 |
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 인피니언 테크놀로지
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | SRAM |
기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP 아날로그 디바이스 Inc./맥심 통합
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | NVSRAM |
기술: | NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA 마이크론 테크놀로지 인크
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | DRAM |
기술: | SDRAM - DDR3L |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA 마이크론 테크놀로지 인크
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | 플래시 |
기술: | 플래시 - NAND |
AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC 레네사스 디자인 독일 GmbH
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | 플래시 |
기술: | 플래시 |
MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA 마이크론 테크놀로지 인크
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | DRAM |
기술: | SDRAM - DDR3 |
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | DRAM |
기술: | SDRAM |