IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

브랜드 이름 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
모델 번호 IS43DR16640C-25DBL
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - DDR2 메모리 용량 1Gbit
메모리구성 64M X 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 400 MHz 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 400이지 추신 전압 - 공급 1.7V ~ 1.9V
작동 온도 0' C ~ 85' C (TC) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 84-tfbga 공급자의 장치 패키지 84-twbga (8x12.5)
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Part Number Description
IS43DR16320E-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640C-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-25DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160B-37CBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320E-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-37CBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16320E-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16128C-25DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-3DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160B-25DBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-25DBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-37CBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
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IS43DR16320C-25DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-37CBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-25DBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320E-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
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IS43DR16320E-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
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IS43DR16160B-25DBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320E-25DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
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IS43DR16320E-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-3DBLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640C-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320E-3DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320E-3DBLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-25DBLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640C-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16320C-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320E-25DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-3DBLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320E-3DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-25DBLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16160B-3DBLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16320C-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-25DBLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-3DBL-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-3DBLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-25DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-25DBLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-25DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-3DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-25DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-3DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16128C-3DBLA1-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16128C-3DBLA1 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16128C-3DBLA2-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16128C-3DBLA2 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160A-37CBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-37CBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640A-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160A-25EBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-25EBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-25EBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-25EBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-37CBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-37CBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
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IS43DR16160A-3DBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-5BBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-5BBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
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IS43DR16320C-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-25EBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-25EBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-25EBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25EBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-25EBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25EBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBA2 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBA2 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBA2 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
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제품 설명

제품 세부 정보

특징

표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
• 933MHz까지의 시스템 주파수에서 고속 데이터 전송 속도
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 8n-비트 전 검색 아키텍처
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연
• 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
• tCK를 기반으로 프로그래밍 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL)
• 프로그램 할 수 있는 폭발 길: 4 및 8
• 프로그램 할 수 있는 폭발 순서: 순서 또는 간격
• BL 스위치
• 자동 자동 갱신 (ASR)
• 자기 갱신 온도 (SRT)
• 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
• 부분적 배열 자기 갱신
• 비동기 리셋 핀
• TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
• OCD (오프 칩 드라이버 저항 조정)
• 다이내믹 ODT (On-Die Termination)
• 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• 글쓰기 평준화
• DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
• 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)

사양

속성 속성 값
제조업자 ISSI
제품 분류 메모리 IC
제조업자 ISSI
제품군 DRAM
RoHS 세부 사항
브랜드 ISSI
기능적 호환성 부품양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
제조자 부분# 설명 제조업자 비교
MT47H64M16NF-25E:M
기억력
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS 컴플라이언트, FBGA-84 미크론 기술 IS43DR16640C-25DBL 대 MT47H64M16NF-25E:M
MT47H64M16NF-25EIT:M
기억력
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS 컴플라이언트, FBGA-84 미크론 기술 IS43DR16640C-25DBL 대 MT47H64M16NF-25EIT:M
IS43DR16640C-25DBLA2
기억력
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, 리드 무료, TWBGA-84 통합 실리콘 솔루션 IS43DR16640C-25DBL 대 IS43DR16640C-25DBLA2
IS43DR16640C-25DBLA1
기억력
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, 리드 무료, TWBGA-84 통합 실리콘 솔루션 IS43DR16640C-25DBL 대 IS43DR16640C-25DBLA1

설명

SDRAM - DDR2 메모리 IC 1Gb (64M x 16) 병렬 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
DRAM 칩 DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84핀 TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16