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IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR2 | 메모리 용량 | 1Gbit |
메모리구성 | 64M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 400 MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
엑세스 시간 | 400이지 추신 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
작동 온도 | 0' C ~ 85' C (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 84-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 84-twbga (8x12.5) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43DR16320E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
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IS43DR16320D-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
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IS43DR16320C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
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IS46DR16160B-3DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
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IS46DR16320E-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
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IS46DR16160B-25DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
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IS43DR16320C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
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IS46DR16640C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
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IS46DR16320C-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
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IS46DR16320D-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
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IS46DR16640B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
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IS46DR16640B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
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IS43DR16128C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA1-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA1 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA2-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA2 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640A-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-5BBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-5BBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25EBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25EBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
특징
표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V• 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
• 933MHz까지의 시스템 주파수에서 고속 데이터 전송 속도
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 8n-비트 전 검색 아키텍처
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연
• 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
• tCK를 기반으로 프로그래밍 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL)
• 프로그램 할 수 있는 폭발 길: 4 및 8
• 프로그램 할 수 있는 폭발 순서: 순서 또는 간격
• BL 스위치
• 자동 자동 갱신 (ASR)
• 자기 갱신 온도 (SRT)
• 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
• 부분적 배열 자기 갱신
• 비동기 리셋 핀
• TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
• OCD (오프 칩 드라이버 저항 조정)
• 다이내믹 ODT (On-Die Termination)
• 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• 글쓰기 평준화
• DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
• 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
제조업자 | ISSI |
제품군 | DRAM |
RoHS | 세부 사항 |
브랜드 | ISSI |
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
MT47H64M16NF-25E:M 기억력 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS 컴플라이언트, FBGA-84 | 미크론 기술 | IS43DR16640C-25DBL 대 MT47H64M16NF-25E:M |
MT47H64M16NF-25EIT:M 기억력 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS 컴플라이언트, FBGA-84 | 미크론 기술 | IS43DR16640C-25DBL 대 MT47H64M16NF-25EIT:M |
IS43DR16640C-25DBLA2 기억력 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, 리드 무료, TWBGA-84 | 통합 실리콘 솔루션 | IS43DR16640C-25DBL 대 IS43DR16640C-25DBLA2 |
IS43DR16640C-25DBLA1 기억력 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, 리드 무료, TWBGA-84 | 통합 실리콘 솔루션 | IS43DR16640C-25DBL 대 IS43DR16640C-25DBLA1 |
설명
SDRAM - DDR2 메모리 IC 1Gb (64M x 16) 병렬 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
DRAM 칩 DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84핀 TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16
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