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중국 AT24C01C-PUM IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8DIP 마이크로칩 기술

AT24C01C-PUM IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8DIP 마이크로칩 기술

기억 영역형: 비휘발성입니다
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
중국 AT24C04C-SSHM-T IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 마이크로칩 기술

AT24C04C-SSHM-T IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 마이크로칩 기술

기억 영역형: 비휘발성입니다
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
중국 S29GL01GS11FHIV23 IC 플래시 1GBIT PARALLEL 64FBGA 인피니언 테크놀로지

S29GL01GS11FHIV23 IC 플래시 1GBIT PARALLEL 64FBGA 인피니언 테크놀로지

기억 영역형: 비휘발성입니다
메모리 포맷: 플래시
기술: 플래시 -도 또한
중국 CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 사이프러스 반도체

CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 사이프러스 반도체

기억 영역형: 휘발성 물질
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - 동시에 일어나는, SDR
중국 24LC64T-I/ST IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP 마이크로칩 기술

24LC64T-I/ST IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP 마이크로칩 기술

기억 영역형: 비휘발성입니다
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
중국 IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

기억 영역형: 휘발성 물질
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - 동시에 일어나는, SDR
중국 SST39VF010-70-4I-NHE IC 플래시 1MBIT PARALLEL 32PLCC 마이크로칩 기술

SST39VF010-70-4I-NHE IC 플래시 1MBIT PARALLEL 32PLCC 마이크로칩 기술

기억 영역형: 비휘발성입니다
메모리 포맷: 플래시
기술: 플래시
중국 CAT24C128YI-GT3 IC EEPROM 128KBIT I2C

CAT24C128YI-GT3 IC EEPROM 128KBIT I2C

기억 영역형: 비휘발성입니다
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
중국 W25X20CLSNIG IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC 윈본드 전자제품

W25X20CLSNIG IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC 윈본드 전자제품

기억 영역형: 비휘발성입니다
메모리 포맷: 플래시
기술: 플래시
중국 7025S20PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP 레네사스 전자제품 아메리카 인크

7025S20PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP 레네사스 전자제품 아메리카 인크

기억 영역형: 휘발성 물질
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - 듀얼 포트, 비동기식
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