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IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 동시에 일어나는, SDR | 메모리 용량 | 18Mbit |
메모리구성 | 512K X 36 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 200MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | 3 나노 초 | 전압 - 공급 | 3.135V ~ 3.465V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 165-TBGA | 공급자의 장치 패키지 | 165-tfbga (13x15) |
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Part Number | Description | |
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IS61NLP51236B-200B3LI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
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IS61LPS102418A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61LPS102418A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61LPS51236A-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61LPS51236A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61LPS51236A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLF102418-6.5B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLF102418-6.5B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLF102418-7.5B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLF51236-6.5B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
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IS61NLF51236-7.5B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLP102418-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
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IS61NLP102418-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLP51236-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLP51236-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLP51236-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NVF102418-6.5B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
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IS61NVF51236-7.5B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NVF51236-7.5B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NVP102418-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NVP102418-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NVP102418-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NVP102418-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NVP51236-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NVP51236-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NVP51236-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VF102418A-6.5B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VF102418A-6.5B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VF102418A-7.5B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VF102418A-7.5B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VF51236A-6.5B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VF51236A-6.5B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VF51236A-7.5B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VF51236A-7.5B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VPS102418A-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VPS102418A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VPS102418A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VPS102418A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VPS51236A-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VPS51236A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61VPS51236A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61LPS12836EC-200B3I | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLF102418B-6.5B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61LF51236B-7.5B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
IS61NLP51236B-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA | |
71V67803S150BQI8 | IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA | |
71V67803S133BQGI8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
18 메그 NLP/NVP 제품군은 폭발성, 고성능, 대기 상태 없이네트워크 및 통신 애플리케이션을 위한 장치그들은 256K 단어 72 비트, 512K 단어 36 비트 및 1M 단어 18 비트로 구성되어 있습니다. ISSI의 고급 CMOS 기술로 제조되었습니다.
특징
• 버스 이용률 100퍼센트• 읽기 와 쓰기 사이 에 기다림 사이클 이 없다
• 내부 자율 기록 순환
• 개별 바이트 기록 제어
• 단일 R/W (읽기/쓰기) 제어 핀
• 시계 제어, 등록 주소, 데이터 및 제어
• MODE 입력을 이용한 간첩 또는 선형 폭발 순서 제어
• 세 칩은 간단한 깊이 확장 및 주소 파이프 라인링을 가능하게 합니다.
• 전원 종료 모드
• 공통 데이터 입력과 데이터 출력
• CKE 핀을 사용 하 여 시계를 작동 시키고 작동을 중지
• JEDEC 100핀 TQFP, 165-볼 PBGA 및 209-볼 (x72) PBGA 패키지
전원 공급:
NVP: VDD 2.5V (± 5%), VDDQ 2.5V (± 5%)
NLP: VDD 3.3V (± 5%), VDDQ 3.3V/2.5V (± 5%)
• PBGA 패킷을 위한 JTAG 경계 스캔
• 산업용 온도
• 납 없는 제품
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 대체 포장 |
패키지 케이스 | 165-TBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3.135V ~ 3.465V |
공급자 제품 패키지 | 165-TFBGA (13x15) |
메모리 용량 | 18M (512K x 36) |
메모리 타입 | SRAM - 동기화 |
속도 | 200MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
SRAM - 동기 메모리 IC 18Mb (512K x 36) 병렬 200MHz 3ns 165-TFBGA (13x15)
SRAM 칩 싱크 쿼드 3.3V 18M-비트 512K x 36 3ns 165-핀 TFBGA
SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 동기화 SRAM
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