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CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP 레네사스 디자인 독일 GmbH
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 |
IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR3 |
MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM |
7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 레네사스 전자제품 미국
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 듀얼 포트, 비동기식 |
71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 레네사스 전자제품 미국
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |