AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II 얼라이언스 메모리, 인크

브랜드 이름 Alliance Memory, Inc.
모델 번호 AS4C4M16SA-6TIN
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM 메모리 용량 64Mbit
메모리구성 4M X 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 166 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 -
엑세스 시간 5.4 나노 초 전압 - 공급 3V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 54 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) 공급자의 장치 패키지 54-TSOP II
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Part Number Description
AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-6TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TAN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2TG-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SB-6TIN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II
AS4C16M16SB-7TCN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TANTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-6TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS7C316098B-10TINTR IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
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AS4C16M16S-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TANTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SA-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TAN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SA-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC8M16A2TG-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC16M16A2TG-6A IT:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC16M16A2TG-6A:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC8M16A2TG-6A:LTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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Part Number Description
제품 설명

사양

속성 속성 값
제조업자 얼라이언스 메모리, 인크
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
종류 SDRAM
포장 트레이
장착 방식 SMD/SMT
패키지 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm 너비)
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 3V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 54-TSOP II
메모리 용량 64M (4M x 16)
메모리 타입 SDRAM
속도 166MHz
접근 시간 5.4 ns
형식 메모리 RAM
최대 작동 온도 + 85 C
작동 온도 범위 - 40C
조직 4 M x 16
공급 전류 최대 50mA
데이터 버스 너비 16비트
공급 전압 최대 3.6V
공급 전압-분 3V
패키지 케이스 TSOP-54
최대 시계 주파수 166 MHz

설명

SDRAM 메모리 IC 64Mb (4M x 16) 병렬 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
DRAM