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IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR3 | 메모리 용량 | 1Gbit |
메모리구성 | 128M X 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 933 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
엑세스 시간 | 20 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.425V ~ 1.575V |
작동 온도 | 0' C ~ 95' C (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 78-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 78-TWBGA(8x10.5) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43TR85120BL-125KBLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR81280CL-125JBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR81280CL-107MBL-TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR81280CL-125JBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
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IS43TR81280CL-107MBL | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
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IS43TR81280CL-125JBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
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IS43TR81280B-107MBL-TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
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IS43TR81280BL-107MBLI | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
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IS43TR81280B-15GBLI | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR81280B-15GBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR81280B-15GBL-TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR81280BL-107MBL | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR81280BL-107MBL-TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
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IS43TR82560B-15HBLI | IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR82560B-15HBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR82560B-15HBL-TR | IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR82560BL-125KBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR82560BL-125KBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR82560BL-15HBL | IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR82560BL-15HBLI | IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR82560BL-15HBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR82560BL-15HBL-TR | IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA | |
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IS43TR81280B-125KBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
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IS43TR85120BL-107MBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
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IS46TR85120BL-125KBLA1-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
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IS46TR81280C-125JBLA25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS46TR81280B-125JBLA25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS46TR85120BL-107MBLA2-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS46TR82560DL-125KBLA2 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS46TR81280BL-125JBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120BL-107MBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR82560B-125KBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS46TR82560B-15HBLA2 | IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR82560BL-125KBL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
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IS46TR81280B-15GBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA | |
IS46TR85120BL-125KBLA2 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS46TR81280BL-125JBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR82560BL-125KBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS46TR81280B-125JBLA25-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
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IS43TR82560B-125KBL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS46TR81280B-15GBLA2 | IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
특징
● 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V낮은 전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
● 시스템과 함께 고속 데이터 전송 속도
933 MHz까지의 주파수
● 동시 운영 을 위한 8 개 의 내부 은행
● 8비트 전 검색 아키텍처
● 프로그램 할 수 있는 CAS 지연: 5, 6, 7, 8, 9, 10 및 11
● 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
● 프로그래밍 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL) 기반
tCK에 대해
● 프로그램 할 수 있는 폭발 길기: 4 및 8
● 프로그래밍 가능한 폭발 순서: 순차적 또는
간격
● BL 스위치 를 바로 가십시오
● 자동 자동 갱신 (ASR)
● 자기 갱신 온도 (SRT)
● 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
● 부분 배열 자기 갱신
● 비동기적 인 RESET 핀
● TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
● OCD (오프 칩 드라이버 저항 조절)
● 다이내믹 ODT (동식 종식)
● 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● 적어 놓음
● 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
패키지 케이스 | 78-TFBGA |
작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 1.425V ~ 1.575V |
공급자 제품 패키지 | 78-TWBGA (8x10.5) |
메모리 용량 | 1G (128M x 8) |
메모리 타입 | DDR3 SDRAM |
속도 | 933MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR3 메모리 IC 1Gb (128M x 8) 평행 933MHz 20ns 78-TWBGA (8x10.5)
1G, 1.5V, DDR3, 128MX8, 1866MT
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