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MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 마이크론 테크놀로지 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM | 메모리 용량 | 256Mbit |
메모리구성 | 16M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 133 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 14ns |
엑세스 시간 | 5.4 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 54-vfbga | 공급자의 장치 패키지 | 54-vfbga (8x8) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT48LC16M16A2B4-7E IT:G | IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA | |
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MT48H8M16LFB4-8 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA | |
MT48LC8M16LFF4-75M IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA | |
MT48H4M16LFB4-10 | IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA | |
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MT48H8M16LFB4-75:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA | |
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MT48LC8M16A2B4-75:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA | |
MT48H32M16LFB4-75B IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA | |
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MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
256Mb SDRAM는 268MB의 고속 CMOS, 동적 무작위 액세스 메모리입니다.435,456 비트. 그것은 내부적으로 동기 인터페이스와 함께 쿼드 뱅크 DRAM으로 구성됩니다 (모든 신호는 시계 신호의 긍정적 인 가장자리에 등록됩니다.108,864비트 은행은 8192 줄에 의해 4 비트에 의해 2048 열로 구성됩니다.108,864비트 은행은 8192 줄에 의해 1024 열에 의해 8 비트로 조직됩니다.108864비트 은행은 8192줄, 512줄, 16비트로 구성되어 있습니다.
특징
• PC100 및 PC133에 적합합니다.• 완전히 동기화; 모든 신호는 시스템 시계의 긍정적 인 가장자리에 등록됩니다.
• 내부, 파이프 라인 작동; 열 주소를 시계 주기로 변경할 수 있습니다.
• 숨겨진 행 접근/예전 충전용 내부 은행
• 프로그램 할 수 있는 래스트 길이: 1, 2, 4, 8, 또는 전체 페이지
• 자동 전 충전, 동시 자동 전 충전 및 자동 갱신 모드를 포함합니다.
• 자동 갱신 모드 (AT 장치에서는 사용할 수 없습니다)
• 자동 갱신
64ms, 8192주기 갱신 (상업 및 산업)
16ms, 8192주기 갱신 (자동차)
• LVTTL 호환 입력 및 출력
• 단일 3.3V ± 0.3V 전원 공급
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 대체 포장 |
패키지 케이스 | 54-VFBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 54-VFBGA (8x8) |
메모리 용량 | 256M (16M x 16) |
메모리 타입 | SDRAM |
속도 | 133MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
DRAM 칩 SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54핀 VFBGA
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