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키워드 [ ic ] 시합 1991 상품.
AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 얼라이언스 메모리, 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR2 |
S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA 사이프러스 반도체
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALLEL 144TQFP 사이프러스 반도체
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 듀얼 포트, 동기식 |
IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR3L |
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | DRAM - 에도 |
70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP 레네사스 전자제품 미국
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 듀얼 포트, 비동기식 |
S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |