IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크

브랜드 이름 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
모델 번호 IS41LV16100B-50KL
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 DRAM - 에도 메모리 용량 16Mbit
메모리구성 1M X 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 - 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 -
엑세스 시간 25 나노 초 전압 - 공급 3V ~ 3.6V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 42-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) 공급자의 장치 패키지 42-SOJ
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Part Number Description
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
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IS41LV16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

설명

ISSIIS41LV16100B는 1,048,576 x 16-비트 고성능 CMOS 동적 무작위 액세스 메모리. 이 장치들은 EDO 페이지 모드라고 불리는 가속 사이클 액세스를 제공합니다.024 단 한 줄 내의 무작위 접속, 접근 주기가 16비트 단어당 20 ns만큼 짧다.

특징

• TTL 호환 입력 및 출력; 3 상태 I/O
• 갱신 간격:
자동 갱신 모드: 1,024 회 / 16 ms
RAS 전, CAS 전 (CBR) 및 숨겨진
• JEDEC 표준 피노트
• 단일 전원 공급: 3.3V ± 10%
• 바이트 기록 및 바이트 읽기 작업
• 산업 온도 범위: -40oC ~ +85oC
• 납 없는 제품

사양

속성속성 값
제조업자ISSI
제품 분류IC 칩
시리즈-
포장튜브
패키지 케이스42-BSOJ (0.400", 10.16mm)
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
인터페이스병렬
전압 공급3V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지42-SOJ
메모리 용량16M (1M x 16)
메모리 타입DRAM - EDO
속도50n
형식 메모리RAM

설명

DRAM - EDO 메모리 IC 16Mb (1M x 16) 병렬 25ns 42-SOJ