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S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA 사이프러스 반도체
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | 플래시 |
|---|---|---|---|
| 기술 | 플래시 -도 또한 | 메모리 용량 | 128Mbit |
| 메모리구성 | 8M x 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 60 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 60 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 80-VFBGA | 공급자의 장치 패키지 | 80-FBGA(8x11) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| S29PL127J60BFI040 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56FBGA | |
| S29PL127J60BAI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J80BFI010 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BFA040 | IC FLASH 128MBIT CFI 80FBGA | |
| S29PL127J60BFI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BFI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BAI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAW002 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BAI003 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BFI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BFI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J80BFI010 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAE000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAW003 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J65BAI000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J65BAI002 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J65BAW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J65BFW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BAW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J70BFI003 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BAI000E | IC FLASH NOR 80FBGA | |
| S29PL127J60BFI000E | IC FLASH NOR 80FBGA | |
| S29PL127J60BFID00E | IC FLASH NOR 80FBGA | |
| S29PL127J70BFI000E | IC FLASH NOR 80FBGA | |
| S29PL127J60BAI000A | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA | |
| S29PL127J60BFI000A | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
Am27S29 (512 단어 × 8 비트) 는 Schottky TTL 프로그래밍 가능한 읽기 전용 메모리 (PROM) 이다.
특유의 특징
● 빠른 속도● 매우 신뢰성 있고 초고속 프로그래밍 을 할 수 있는 플래티넘-실리시드 피지
● 높은 프로그램 생산성
● 낮은 전류 PNP 입력
● 높은 전류 오픈 수집기 및 3 상태 출력 빠른 칩 선택
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 사이프러스 반도체 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | PL-J |
| 포장 | 트레이 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 작동 온도 범위 | - 40°C ~ + 85°C |
| 패키지 케이스 | * |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | * |
| 메모리 용량 | 128M (8M x 16) |
| 메모리 타입 | 플래시 - NOR |
| 속도 | 60n |
| 건축물 | 부문 |
| 형식 메모리 | 플래시 |
| 표준 | 공통 플래시 인터페이스 (CFI) |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 8 M x 16 |
| 공급 전류 최대 | 55mA |
| 데이터 버스 너비 | 16비트 |
| 공급 전압 최대 | 3.6V |
| 공급 전압-분 | 2.7V |
| 패키지 케이스 | FBGA-80 |
| 타이밍 타입 | 비동기 |
설명
플래시 - NOR 메모리 IC 128Mb (8M x 16) 병렬 60ns 80-FBGA (8x11)
NOR 플래시 평행 3V/3.3V 128M-비트 8M x 16 60ns 80-핀 FBGA 트레이
플래시 메모리
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