모든 제품
S29WS064RABBHW010 IC 플래시 64MBIT PARALLEL 84FBGA 사이프러스 반도체

무료샘플과 쿠폰을 위해 나와 연락하세요.
왓츠앱:0086 18588475571
위챗: 0086 18588475571
스카이프: sales10@aixton.com
만약 당신이 어떠한 관심도 가지면, 우리가 24 시간 온라인 도움말을 제공합니다.
x제품 상세 정보
기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | 플래시 |
---|---|---|---|
기술 | 플래시 -도 또한 | 메모리 용량 | 64Mbit |
메모리구성 | 4M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 108 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 60 나노 초 |
엑세스 시간 | 80 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.95V |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C(TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 84-VFBGA | 공급자의 장치 패키지 | 84-FBGA (11.6x8) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number | Description | |
---|---|---|
S29WS064RABBHW010 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS064RABBHI000 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS064RABBHI010 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS128P0PBFW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS128P0SBFW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS256P0PBFW000 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS256P0SBFW000 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS512P0PBFW000 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS512P0SBFW000 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS256P0LBFW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS128P0PBFW003 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS256P0SBFW002 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS064RABBHW000 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS064RABBHW010 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS128P0PBAW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS128PABBFW000 | IC FLASH 128MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256PABBAW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256PABBFW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS512PABBFW000 | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256R0SBHW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256RAABHW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256RAABHW000E | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256RAABHW200E | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS512R0SBHW200E | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS512R0SBHW000 | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS512R0SBHW200 | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
Spansion S29WS256/128/064N는 110nm 공정 기술로 제조된 MirrorbitTM 플래시 제품입니다.이 번스트 모드 플래시 장치는 별도의 데이터와 주소 핀을 사용하여 두 개의 별도의 은행에서 제로 지연시간으로 동시에 읽기 및 쓰기 작업을 수행 할 수 있습니다.이 제품들은 80MHz까지 작동할 수 있으며 1.7V에서 1.95V의 단일 VCC를 사용하므로 더 높은 밀도를 요구하는 오늘날의 까다로운 무선 애플리케이션에 이상적입니다.더 나은 성능과 낮은 전력 소비.
특징적 인 특성
■ 단일 1.8V 읽기 / 프로그램 / 삭제 (1.70~1.95V)■ 110 nm MirrorBitTM 기술
■ 0과 동시에 읽기/쓰기 동작
잠정성
■ 32 단어의 Write Buffer
■ 16/8/4로 구성된 16개의 은행 구조
WS256N/128N/064N에 대한 MWords
■ 4개의 16kword 부문이
메모리 배열
■ 254/126/62 64 쿼드 부문 (WS256N/128N/
064N)
■ 프로그램 가능한 래스트 리딩 모드
32개, 16개 또는 8개 단어에 대한 선형성
윙어라운드 없이
연속 순차 읽기 모드
■ SecSiTM (Secured Silicon) 부문 지역
공장과 고객을 위해 각각 128 단어
■ 20년 데이터 보존 (보통)
■ 자전거 견고성: 각 부문별로 10만 회
(유례적)
■ RDY 출력은 시스템에 사용 가능한 데이터를 나타냅니다.
■ JEDEC와 호환되는 명령어 세트 (42.4)
표준
■ 하드웨어 (WP#) 보호
부문
■ 듀얼 부트 섹터 구성 (위쪽과 아래쪽)
■ 제공 된 패키지
WS064N: 80볼 FBGA (7mm x 9mm)
WS256N/128N: 84볼 FBGA (8mm x 11.6mm)
■ 낮은 VCC 기록 억제
■ 고도화 된 사용법의 지속 및 비밀번호
부문 보호
■ 작업 상태 비트를 기록 프로그램 및 표시
삭제 작업 완료
■ 프로그램 및 컴퓨터에 대한 명령어를 중지 및 재개
삭제 작업
■ 절제 프로그램 명령어를 잠금 해제
프로그래밍 시간
■ 동기 또는 비동기 프로그램 작동,
폭발 제어 레지스터 설정과 독립적으로
■ 공장 프로그래밍 시간을 줄이기 위한 ACC 입력 핀
■ 공통 플래시 인터페이스 (CFI) 지원
■ 산업용 온도 범위 (접촉 공장)
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 사이프러스 반도체 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | WS-R |
포장 | 트레이 |
장착 방식 | SMD/SMT |
작동 온도 범위 | - 25C ~ + 85C |
패키지 케이스 | * |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 10.7V ~ 1.95V |
공급자 제품 패키지 | * |
메모리 용량 | 64M (4M x 16) |
메모리 타입 | 플래시 - NOR |
속도 | 108MHz |
건축물 | 부문 |
형식 메모리 | 플래시 |
표준 | 공통 플래시 인터페이스 (CFI) |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 4 M x 16 |
공급 전류 최대 | 44mA |
데이터 버스 너비 | 16비트 |
공급 전압 최대 | 195V |
공급 전압-분 | 1.7V |
패키지 케이스 | FBGA-84 |
최대 시계 주파수 | 108 MHz |
타이밍 타입 | 비동기동기 |
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
S29WS064R0SBHW000 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064R0SBHW000 |
S29WS064R0SBHW013 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064R0SBHW013 |
S29WS064RABBHW010 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064RABBHW010 |
S29WS064R0SBHW010 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064R0SBHW010 |
S29WS064R0PBHW010 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064R0PBHW010 |
S29WS064R0SBHW003 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064R0SBHW003 |
S29WS064RABBHW013 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064RABBHW013 |
S29WS064R0PBHW013 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064R0PBHW013 |
S29WS064RABBHW003 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064RABBHW003 |
S29WS064R0PBHW000 기억력 |
플래시, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, 리드 무료, FBGA-84 | 사이프러스 반도체 | S29WS064RABBHW010 대 S29WS064R0PBHW000 |
설명
플래시 - NOR 메모리 IC 64Mb (4M x 16) 평행 108MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
NOR 플래시 평행 1.8V 64M 비트 4M x 16 80ns 84 핀 TFBGA 트레이
플래시 메모리
추천된 제품