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키워드 [ ic ] 시합 1991 상품.
CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 동시에 일어나는, SDR |
AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8UDFN 레네사스 디자인 독일 GmbH
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 |
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 - NAND |
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA 얼라이언스 메모리, 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR |
CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN 마이크로칩 기술
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | EEPROM |
| 기술: | EEPROM |