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AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA 얼라이언스 메모리, 인크
| 브랜드 이름 | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| 모델 번호 | AS4C16M16D1-5BCN |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM - DDR | 메모리 용량 | 256Mbit |
| 메모리구성 | 16M Ｘ 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 200MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 700이지 추신 | 전압 - 공급 | 2.3V ~ 2.7V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 60-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 60-tfbga (8x13) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C16M16D1-5BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C64M8D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C8M16D1-5BIN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C16M16D1-5BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BCN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C16M16D1-5BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
| AS4C64M8D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C16M16D1-5BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C64M8D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C64M8D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C32M16D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
| IS46R16160F-5BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
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| IS43R16320F-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
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| IS46R16160F-5BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
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| IS43R16320F-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
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| IS43R16320E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
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| IS43R16320E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-5BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-5BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
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| IS43R86400E-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
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| IS43R86400E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
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| IS43R16320E-6BI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
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| IS43R86400D-5B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R86400D-6BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R16160F-5BI | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
특징
• 조직: 1,048,576 단어 × 4 비트• 고속
- 40/50/60/70 ns RAS 접속 시간
- 20/25/30/35 ns 열 주소 접근 시간
- 10/13/15/18 ns CAS 접근 시간
• 낮은 전력 소비
- 액티브: 최대 385mW (-60)
대기 상태: 최대 5.5mW, CMOS I/O
• 빠른 페이지 모드 (AS4C14400) 또는 EDO (AS4C14405)
• 1024 리프레쉬 사이클, 16 ms 리프레쉬 간격
- RAS 전만 또는 CAS 전 RAS 갱신
• 읽기-변경-쓰기
• TTL 호환, 3 상태 I/O
• JEDEC 표준 패키지
- 300 밀리, 20/26 핀 SOJ
- 300 밀리, 20/26 핀 TSOP
• 단일 5V 전원 공급
• ESD 보호 ≥ 2001V
• 잠금 전류 ≥ 200mA
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 얼라이언스 메모리, 인크 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | AS4C16M16D1 |
| 종류 | DDR1 |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 패키지 케이스 | 60-TFBGA |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 2.3V ~ 2.7V |
| 공급자 제품 패키지 | 60-TFBGA (13x8) |
| 메모리 용량 | 256M (16M x 16) |
| 메모리 타입 | DDR SDRAM |
| 속도 | 200MHz |
| 접근 시간 | 0.7 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 70C |
| 작동 온도 범위 | 0 C |
| 조직 | 16 M x 16 |
| 공급 전류 최대 | 135mA |
| 데이터 버스 너비 | 16비트 |
| 공급 전압 최대 | 2.7V |
| 공급 전압-분 | 2.3V |
| 패키지 케이스 | TFBGA-60 |
| 최대 시계 주파수 | 200MHz |
설명
SDRAM - DDR 메모리 IC 256Mb (16M x 16) 병렬 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
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