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W29N01HVSINA IC 플래시 1GBIT PARALLEL 48TSOP 윈본드 전자

  • W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electronics
브랜드 이름 Winbond Electronics
모델 번호 W29N01HVSINA
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
공급 능력 재고 중

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제품 상세 정보
기억 영역형 비휘발성입니다 메모리 포맷 플래시
기술 플래시 - NAND (SLC) 메모리 용량 1Gbit
메모리구성 128M Ｘ 8 기억기접합 대비
클럭 주파수 - 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 25 나노 초
엑세스 시간 25 나노 초 전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭) 공급자의 장치 패키지 48-TSOP
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
W29N08GVSIAA 8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT
W29N01HVSINF TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HVSINA TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 48TSOP
W29N01HZSINF TR IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HZSINF IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HZSINA TR IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
W29N01HZSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N02KVSIAE TR IC FLASH 2GBIT ONFI 48TSOP
W29N02KVSIAF TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N02KVSIAF IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N02KVSIAE IC FLASH 2GBIT ONFI 48TSOP
W29N04GVSIAF TR 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT
W29N04GVSIAA IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N04GVSIAA TR 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT
W29N04KZSIBG TR 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 8-BIT
W29N04KZSIBF TR 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT
W29N04GVSIAF IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N04KZSIBF 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT
W29N04KZSIBG 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 8-BIT
W29N08GVSIAA TR 8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT
W29N08GZSIBF TR 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 4-B
W29N08GZSIBA TR 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 1-B
W29N08GZSIBA IC FLASH 8GBIT PAR 48TSOP
W29N08GZSIBF 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 4-B
W29N02GVSIAA IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
M28W320CT90N6 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
M28W640ECB90N6 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W800DT90N6 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W800DB90N6T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW3A0AN6E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW3A2AN6E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W3A0AN6E IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W4A0AN6E IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND512W3A0AN6E IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW3B2AN6E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND512W3A2BN6E IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
W19B320ABT7H IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
W19B320ATT7H IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
M29DW323DB90N6 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
M29F200BB45N1 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29F200BB50N3 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29F400BB70N3T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W200BB55N1 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W200BB90N1 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W200BB90N6 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
M29W200BT55N1 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW3B2AN6F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND01GW4B2AN6E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND02GW3B2AN6F IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND128W3A0AN6 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND128W3A0AN6E IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND128W3A0AN6F IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W3A0AN6 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W3A0AN6F IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND256W3A2BN6F IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND512W3A0AN6 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
NAND512W3A2BN6F IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
W19B320BTT7H IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
W29GL064CB7S IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
W29GL064CT7S IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
W29GL032CT7S IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
W29GL032CB7S IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01GVSIAA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HVSINF IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N02GVSIAF IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HWSINF TR IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
W29N01HWSINF IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HWSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
W29N01HWSINA TR IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

일반 설명

W29C040은 512K ́8 비트로 구성된 4 메가 비트, 5 볼트 CMOS 페이지 모드 플래시 메모리입니다. 이 장치는 표준 5V 전원 공급 장치로 시스템 내에서 작성 (사용 및 프로그래밍) 할 수 있습니다.12 볼트 VPP는 필요하지 않습니다.W29C040의 독특한 셀 아키텍처는 매우 낮은 전류 소비 (다른 비교 가능한 5 볼트 플래시 메모리 제품과 비교하면) 와 함께 빠른 기록 (삭제/프로그램) 작업을 수행합니다.) 장치는 또한 표준 EPROM 프로그래머를 사용하여 삭제 및 프로그래밍 할 수 있습니다..

특징

· 단일 5 볼트 기록 (삭제 및 프로그램) 작업
· 빠른 페이지 쓰기 작업
- 페이지당 256 바이트
- 페이지 쓰기 (삭제/프로그램) 사이클: 5mS (일반)
- 효과적 바이트-쓰기 (사용/프로그램) 사이클 시간: 19.5mS
- 옵션 소프트웨어 보호 데이터 기록
· 빠른 칩 삭제 동작: 50mS
· 잠금 장치가 있는 16 KB 부트 블록 두 개
· 페이지 쓰기 (삭제/프로그램) 사이클: 50K (일반)
· 읽기 접근 시간: 70/90/120 nS
· 10년 데이터 보존
· 소프트웨어 및 하드웨어 데이터 보호
· 낮은 전력 소비
- 액티브 전류: 25mA (일반적으로)
- 대기 전류: 20mA (일반)
·내용 VPP 생성과 자동 기록 (삭제/프로그램) 타이밍
· 기록 종료 (사용/프로그램) 감지
- 트글리 비트
- 데이터 조사
· 연결된 주소와 데이터
· 모든 입력과 출력은 직접 TTL 호환
· JEDEC 표준 바이트 폭 핀아웃
· 사용 가능한 패키지: 32 핀 600 밀리 DIP, TSOP 및 PLCC

사양

속성 속성 값
제조업자 윈본드 전자제품
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이
패키지 케이스 48-TFSOP (0.488", 12.40mm 너비)
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 2.7V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 48-TSOP (18.4x12)
메모리 용량 1G (128M x 8)
메모리 타입 플래시 - NAND (SLC)
속도 25n
형식 메모리 플래시

설명

플래시 - NAND (SLC) 메모리 IC 1Gb (128M x 8) 병렬 25ns 48-TSOP (18.4x12)
NAND 플래시 3V/3.3V 1G 비트 128M x 8 48 핀 TSOP-I
꼬리표:

안정적 플래쉬 메모리 IC

순간 메모리용 IC 비휘발성

SPI 플래쉬 메모리 IC