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M29W160EB70N6E IC 플래시 16MBIT PARALLEL 48TSOP 마이크론 테크놀로지
| 브랜드 이름 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 모델 번호 | M29W160EB70N6E |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | 플래시 |
|---|---|---|---|
| 기술 | 플래시 -도 또한 | 메모리 용량 | 16Mbit |
| 메모리구성 | 2M Ｘ 8, 1M Ｘ 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 70 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 70 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 48-TSOP |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| M29W160EB70N6E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W320EB70N6E | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W640FB70N6E | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W800DB70N6E | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
| M29W160ET70N6E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W320DT70N6E | IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I | |
| M29W400DB70N6E | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
| M29W800DT70N6E | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
| NAND128W3A0BN6F TR | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W160FB70N3E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W640GB90NA6E | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
| M29W640GH70NA6E | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
| M29W640GT70NA6E | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
| M29W640GH70NA6F TR | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
| NAND512W3A2CN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W320DT70N3F TR | IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I | |
| M29W400FB55N3F TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
| M29W160ET70N3E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND512W3A2SN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29F200FT5AN6F2 TR | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP |
제품 설명
제품 세부 정보
요약 설명
M29W160E는 16 Mbit (2Mb x8 또는 1Mb x16) 비휘발성 메모리로 읽을 수 있고 지우고 재프로그램 할 수 있습니다. 이러한 작업은 단일 저전압 (2.7 ~ 3.6V) 공급을 사용하여 수행 할 수 있습니다.전원을 켜면 메모리는 ROM 또는 EPROM과 같은 방식으로 읽을 수 있는 읽기 모드로 설정됩니다..
특징 요약
■ 공급 전압VCC = 프로그램, 삭제 및 읽기용 2.7V ~ 3.6V
■ 접속 시간: 70~90초
■ 프로그래밍 시간
10μs/Byte/Word 전형적인
■ 35개의 메모리 블록
1 부팅 블록 (최고 또는 최하위 위치)
2개의 매개 변수와 32개의 주요 블록
■ 프로그램/삭제 컨트롤러
임베디드 바이트/워드 프로그램 알고리즘
■ 삭제, 중단 및 재개 모드
삭제 중 다른 블록을 읽고 프로그램 하 고 중지
■ UNLOCK BYPASS 프로그램 명령어
더 빠른 생산/배치 프로그래밍
■ 임시 블록 무보호 방식
■ COMMON FLASH 인터페이스
64비트 보안 코드
■ 낮은 전력 소모
대기 및 자동 대기
■ 블록당 100,000 프로그램/삭제 사이클
■ 전자 서명
제조사 코드: 0020h
최상위 장치 코드 M29W160ET: 22C4h
아래 장치 코드 M29W160EB: 2249h
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm 너비) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 48-TSOP |
| 메모리 용량 | 16M (2M x 8, 1M x 16) |
| 메모리 타입 | 플래시 - NOR |
| 속도 | 70n |
| 형식 메모리 | 플래시 |
| Mfr | 마이크론 테크놀로지 |
| 패키지 | 트레이 |
| 제품 상태 | 구식 |
| 메모리 타입 | 비휘발성 |
| 메모리 형식 | 플래시 |
| 기술 | 플래시 - NOR |
| 메모리 크기 | 16MB (2M x 8 1M x 16) |
| 메모리 인터페이스 | 병렬 |
| 글쓰기 사이클 시간 단어 페이지 | 70n |
| 접근 시간 | 70 ns |
| 전압 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 케이스 | 48-TFSOP (0.724" 18.40mm 너비) |
| 기본 제품 번호 | M29W160 |
설명
플래시 - NOR 메모리 IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 평행 70ns 48-TSOP
NOR 플래시 평행 3V/3.3V 16M-비트 2M x 8/1M x 16 70ns 48핀 TSOP 트레이
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