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AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 얼라이언스 메모리, 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM | 메모리 용량 | 128Mbit |
메모리구성 | 4M×32 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 143 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 2 나노 초 |
엑세스 시간 | 5.4 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 90-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 90-tfbga (8x13) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
AS4C4M32S-7BCN | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C4M32S-6BIN | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C2M32S-6BIN | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C2M32S-7BCN | IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C2M32S-6BCN | IC DRAM 64MBIT LVTTL 90TFBGA | |
AS7C351232-10BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C8M32SA-6BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS7C325632-10BIN | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C2M32S-7BCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C4M32S-7BCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C2M32S-6BINTR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C4M32S-6BINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32SA-7BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32SA-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32SA-7BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS7C325632-10BINTR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS7C351232-10BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C8M32S-7BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32S-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32S-7BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32S-6BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA |
제품 설명
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 얼라이언스 메모리, 인크 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 대체 포장 |
패키지 케이스 | 90-LFBGA |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 90-TFBGA (8x13) |
메모리 용량 | 128M (4M x 32) |
메모리 타입 | SDRAM |
속도 | 143MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM 메모리 IC 128Mb (4M x 32) 병렬 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
DRAM 128Mb, 3.3V, 143Mhz 4M x 32 SDRAM
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