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IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP 레네사스 전자제품 미국

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 듀얼 포트, 동기식 | 메모리 용량 | 4.5Mbit |
메모리구성 | 256K x 18 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 133 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | 4.2 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.4V ~ 2.6V |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 144-LQFP 노출된 패드 | 공급자의 장치 패키지 | 144-tqfp (20x20) |
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Part Number | Description | |
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IDT70T3319S133DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T3319S133DDI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T3319S166DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T3399S133DD | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T3399S133DDI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T3399S166DD | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T631S10DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T631S12DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T631S12DDI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T631S15DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T633S10DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T633S12DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T633S12DDI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70T633S15DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70V7319S133DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70V7319S133DDI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70V7319S166DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70V7319S166DDI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70V7339S133DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70V7339S133DDI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70V7339S166DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
IDT70V7339S166DDI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
IDT70T651/9은 고속 256/128K x 36 아시크론 듀얼 포트 정적 RAM이다.IDT70T651/9은 독립적인 9216/4608K 비트 듀얼 포트 RAM 또는 72 비트 이상의 워드 시스템을위한 MAS TER / SLAVE 듀얼 포트 RAM 조합으로 사용하도록 설계되었습니다.. IDT MASTER/SLAVE 듀얼 포트 RAM 접근법을 72비트 또는 더 넓은 메모리 시스템 응용 프로그램에서 사용하면 추가 분별 논리가 필요하지 않고 전체 속도, 오류 없는 작동이 발생합니다.이 장치는 분리된 제어, 주소 및 I/O 핀을 가진 두 개의 독립적인 포트를 제공하며 메모리의 모든 위치에 읽기 또는 쓰기를 위해 독립적이고 비동기 접근을 허용합니다.칩에 의해 제어되는 자동 전원 다운 기능은 (CE0 또는 CE1) 각 포트의 온 칩 회로를 매우 낮은 대기 전력 모드로 입력하도록 허용합니다..
IDT70T651/9은 설계자가 각 사이클에서 R/W 입력기를 펄싱하지 않고 백투백 기록 작업을 수행 할 수 있는 RapidWrite 모드를 가지고 있습니다.이것은 IDT70T651/9의 8 및 10ns 사이클 시간에 특히 중요합니다., 이러한 높은 성능 수준에서 설계 고려 사항을 완화합니다.
70T651/9은 OPT 핀에 의해 제어되는 하나 또는 두 포트에 3.3V 또는 2.5V의 작동 전압을 지원할 수 있습니다. 장치의 코어 (VDD) 의 전원 공급은 2.5V입니다.
특징
◆ 동일한 메모리 위치 에서 동시에 접근 할 수 있는 실제적 인 듀얼 포트 메모리 셀◆ 고속 접근
상업용: 8/10/12/15n (최고)
산업용: 10/12ns (최대)
◆ 래피드라이트 모드 는 고속 연속 기록 순환 을 단순화 한다
◆ 듀얼 칩을 사용 하 여 외부 논리 없이 깊이 확장을 허용
◆ IDT70T651/9 은 하나 이상의 장치 를 카스카드 로 연결 할 때 마스터/슬래브 선택 을 사용하여 데이터 버스 너비 를 72 비트 이상 으로 쉽게 확장 합니다.
◆ M/S = BUSY 출력 플래그를 위한 HIV 마스터에서, M/S = VIL를 위한 BUSY 입력
◆ 바쁘고 끊어지는 깃발
◆ 칩 내 포트 중재 논리
◆ 포트 간 시마포어 신호 전달 을 위한 완전 한 칩 상용 하드웨어 지원
◆ 어느 항구 에서든 완전 한 비동시 작동
◆ 멀티플렉스 버스와 버스 일치 호환성을 위해 별도의 바이트 제어
◆ 두 포트 모두에서 잠자리 모드 입력
◆ IEEE 1149을 준수하는 JTAG 기능을 지원합니다.1
◆ 단 하나의 2.5V (± 100mV) 전원 공급
◆ 각 포트에서 I/O 및 제어 신호를 위한 LVTTL 호환, 선택 가능한 3.3V (±150mV) /2.5V (±100mV) 전원 공급
◆ 256 볼의 볼 그리드 배열, 208 핀의 플라스틱 쿼드 플래트팩 및 208 볼의 얇은 피치의 볼 그리드 배열로 제공 됩니다.
◆ 산업용 온도 범위 (~40°C ~ +85°C) 는 선택 된 속도 에 사용 된다
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 통합 회로 시스템 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 |
패키지 케이스 | 144-LQFP 노출 패드 |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 2.4V ~ 2.6V |
공급자 제품 패키지 | 144-TQFP (20x20) |
메모리 용량 | 4.5M (256K x 18) |
메모리 타입 | SRAM - 두 개의 포트, 동기화 |
속도 | 133MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
SRAM - 듀얼 포트, 동기 메모리 IC 4.5Mb (256K x 18) 병렬 133MHz 4.2ns 144-TQFP (20x20)
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