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IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 1Mbit |
메모리구성 | 128K X 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 12 나노 초 |
엑세스 시간 | 12ns | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 32-TSOP II |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS63WV1024BLL-12TLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128BLL-55T2LI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS61C5128AS-25TLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS61WV1288EEBLL-10TLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63WV1024BLL-12TLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63WV1288DBLL-10TLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS61C5128AS-25TLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128BLL-55T2I | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128BLL-55T2I-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10T | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10T-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10TL | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10TL-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10TLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10TLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128DBLL-45T2LI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62C5128BL-45TLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62C5128BL-45TLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
ICSI IS63LV1024는 매우 빠른, 저전력, 131,072-word by 8-bit CMOS 정적 RAM로 혁명적인 핀아웃을 가지고 있다. IS63LV1024는 ISSI의 고성능 CMOS 기술을 사용하여 제조되었다.이 매우 신뢰할 수 있는 과정과 혁신적인 회로 설계 기술, 더 높은 성능과 낮은 전력 소비 장치를 제공합니다.
특징
• 고속 접속 시간: 8, 10, 12 및 15 ns• 고성능, 저전력 CMOS 프로세스
• 더 큰 소음 보호 를 위해 여러 개의 중앙 전력 및 지상 핀
• CE 및 OE 옵션으로 쉽게 메모리 확장
• CE 전원 차단
• 완전 정적 작동: 시계 또는 갱신 필요 없습니다
• TTL 호환 입력과 출력
• 단일 3.3V 전원 공급
• 사용 가능한 패키지:
32핀 300밀리 SOJ
32핀 400밀리 SOJ
32핀 400밀리 TSOP-2
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | IS63WV1024BLL |
종류 | 비동기 |
포장 | 트레이 대체 포장 |
장착 방식 | SMD/SMT |
패키지 케이스 | 32-SOIC (0.400", 10.16mm 너비) |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 32-TSOP II |
메모리 용량 | 1M (128K x 8) |
메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
속도 | 12n |
데이터 비율 | SDR |
접근 시간 | 12 ns |
형식 메모리 | RAM |
최대 작동 온도 | + 85 C |
작동 온도 범위 | - 40C |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 128k x 8 |
공급 전류 최대 | 45mA |
공급 전압 최대 | 3.63V |
공급 전압-분 | 20.97V |
패키지 케이스 | sTSOP I-32 |
기능적 호환성 부품
양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
IS63WV1024BLL-12TI 기억력 |
표준 SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | ABLIC Inc | IS63WV1024BLL-12TLI 대 IS63WV1024BLL-12TI |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 1Mb (128K x 8) 병렬 12ns 32-TSOP II
SRAM 칩 비동기 단일 3.3V 1M 비트 128K x 8 12ns 32-핀 TSOP-II
SRAM 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V 비동기 SRAM 3.3v
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