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IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 16Mbit |
메모리구성 | 1M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 45 나노 초 |
엑세스 시간 | 45 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.2V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 48-vfbga | 공급자의 장치 패키지 | 48-vfbga (6x8) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS62WV102416EBLL-45BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV10248EBLL-45BLI | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416FBLL-45BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216EBLL-45BLI | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216HBLL-45B2LI | 8Mb, Low Power/Power Saver,Async | |
IS62WV12816EALL-55BLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
IS62WV12816EALL-55BLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR | IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
IS62WV25616EALL-55BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS66WVE4M16TBLL-70BLI | IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
IS62WV25616EALL-55BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV10248EBLL-45BLI-TR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216EBLL-45BLI-TR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216EALL-55BLI-TR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216EALL-55BLI | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EBLL-55BLI-TR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV20488FBLL-45BLI-TR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV20488FBLL-45BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EBLL-55BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EALL-55BLI-TR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EALL-55BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
ISSIIS62WV102416ALL/BLL 및 IS65WV102416BLL는 16M-bit 정적 RAM로 16비트로 1024K 단어로 구성되어 있으며 ISSI의 고성능 CMOS 기술을 사용하여 제조되었습니다.이 매우 신뢰할 수 있는 과정과 혁신적인 회로 설계 기술, 높은 성능과 낮은 전력 소비 장치를 생산합니다.
특징
• 고속 접속 시간: 25, 35 ns• 고성능, 저전력 CMOS 프로세스
• 더 큰 소음 보호 를 위해 여러 개의 중앙 전력 및 지상 핀
• CS1 및 OE 옵션으로 쉽게 메모리 확장
• CS1 전원 차단
• 완전 정적 작동: 시계 또는 갱신 필요 없습니다
• TTL 호환 입력과 출력
• 단일 전원 공급
VDD 1.65V ~ 2.2V (IS62WV102416ALL)
속도 = VDD 1.65V ~ 2.2V의 35ns
VDD 2.4V ~ 3.6V (IS62/65WV102416BLL)
속도는 VDD 2.4V에서 3.6V의 25ns입니다.
• 사용 가능한 패키지:
48볼 미니BGA (9mm x 11mm)
48pin TSOP (형 I)
• 산업용 및 자동차용 온도 지원
• 납 없는 제품
• 위와 하위 바이트에 대한 데이터 제어
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
종류 | 비동기 |
포장 | 트레이 대체 포장 |
장착 방식 | SMD/SMT |
패키지 케이스 | 48-VFBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 2.2V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 48-VFBGA (6x8) |
메모리 용량 | 16M (1M x 16) |
메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
속도 | 45n |
접근 시간 | 45 ns |
형식 메모리 | RAM |
최대 작동 온도 | + 85 C |
작동 온도 범위 | - 40C |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 1 M x 16 |
공급 전류 최대 | 12mA |
공급 전압 최대 | 3.6V |
공급 전압-분 | 2.2V |
패키지 케이스 | BGA-48 |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 16Mb (1M x 16) 평행 45ns 48-VFBGA (6x8)
SRAM 칩 비동기 단일 2.5V/3.3V 16M 비트 1M x 16 45ns 48 핀 TFBGA
SRAM 16Mb 낮은 Pwr/Pwr Svr 비동기 1Mx16 45ns
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