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IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
| 브랜드 이름 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| 모델 번호 | IS61WV5128BLL-10BLI |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 4Mbit |
| 메모리구성 | 512K Ｘ 8 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 10 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 10 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.4V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 36-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 36-tfbga (6x8) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS61WV5128BLL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-55BLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-55BLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS61WV5128BLL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS61LV5128AL-10BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS62WV2568BLL-70BI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-70BI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS63LV1024L-12BI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
ISSIIS61WV102416ALL/BLL 및 IS64WV102416BLL는 16M-bit 정적 RAM로 16비트로 1024K 단어로 구성되어 있으며, ISSII의 고성능 CMOS 기술을 사용하여 제조되었습니다.이 매우 신뢰할 수 있는 과정과 혁신적인 회로 설계 기술, 높은 성능과 낮은 전력 소비 장치를 생산합니다.
특징
• 고속 접속 시간: 8, 10, 20 ns• 고성능, 저전력 CMOS 프로세스
• 더 큰 소음 보호 를 위해 여러 개의 중앙 전력 및 지상 핀
• CE 및 OE 옵션으로 쉽게 메모리 확장
• CE 전원 차단
• 완전 정적 작동: 시계 또는 갱신 필요 없습니다
• TTL 호환 입력과 출력
• 단일 전원 공급
VDD 1.65V ~ 2.2V (IS61WV102416ALL)
속도 = VDD 1.65V ~ 2.2V에 20ns
VDD 2.4V ~ 3.6V (IS61/64WV102416BLL)
속도는 VDD 2.4V에서 3.6V의 10ns입니다.
속도는 VDD 3.3V + 5%에서 8ns입니다.
• 사용 가능한 패키지:
48볼 미니BGA (9mm x 11mm)
48pin TSOP (형 I)
• 산업용 및 자동차용 온도 지원
• 납 없는 제품
• 위와 하위 바이트에 대한 데이터 제어
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | ISSI |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | IS61WV5128BLL |
| 종류 | 비동기 |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 단위 무게 | 00.008042 온스 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 패키지 케이스 | 36-MBGA |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 2.4V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 36-미니BGA (8x10) |
| 메모리 용량 | 4M (512K x 8) |
| 메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
| 속도 | 10n |
| 데이터 비율 | SDR |
| 접근 시간 | 10 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 85 C |
| 작동 온도 범위 | - 40C |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 512k x 8 |
| 공급 전류 최대 | 45mA |
| 공급 전압 최대 | 3.6V |
| 공급 전압-분 | 2.4V |
| 패키지 케이스 | BGA-36 |
기능적 호환성 부품
양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| IS61WV5128BLL-10BI 기억력 |
표준 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 | 통합 실리콘 솔루션 | IS61WV5128BLL-10BLI 대 IS61WV5128BLL-10BI |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 4Mb (512K x 8) 평행 10ns 36-미니BGA (8x10)
SRAM 칩 비동기 단일 2.5V/3.3V 4M-비트 512K x 8 10ns 36 핀 미니 BGA
SRAM 4M (512Kx8) 10ns 비동기 SRAM 3.3v
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