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M29F800FB5AN6E2 IC 플래시 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Alliance Memory, Inc.

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | 플래시 |
---|---|---|---|
기술 | 플래시 -도 또한 | 메모리 용량 | 8Mbit |
메모리구성 | 1M X 8, 512K X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 55 나노 초 |
엑세스 시간 | 55 나노 초 | 전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 48-TSOP I |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
M29F800FB5AN6E2 | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C1616-55TIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS7C316098A-10TIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C3216A-55TIN | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C6416-55TIN | IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS29CF800B-55TIN | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS29CF800T-55TIN | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS29CF160B-55TIN | IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I | |
AS7C34096B-10TINTR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS7C34096B-10TIN | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C8016-55TINTR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C8016-55TIN | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS29CF160T-55TIN | IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I | |
AS7C316096A-10TINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS7C316098A-10TINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C3216A-55TINTR | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS7C316096A-10TIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C6416-55TINTR | IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C3216-55TIN | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C1616-55TINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C3216-55TINTR | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C1616-55TINLTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
AS6C1616-55TINL | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
이 설명은 특히 M29F 16Mb (2 Meg x 8 또는 1 Meg x 16) 비휘발성 메모리 장치에 적용되지만 낮은 밀도에도 적용됩니다. 장치는 READ, ERASE,그리고 프로그램 운영은 하나의, 저전압 (4.5~5.5V) 공급. 전원을 켜면 장치가 읽기 모드로 설정되어 ROM 또는 EPROM과 같은 방식으로 읽을 수 있습니다.장치는 독립적으로 지워질 수 있는 블록으로 나뉘어 있고, 오래된 데이터가 지워지는 동안 유효한 데이터를 보존합니다.각 블록은 사고적인 프로그램 또는 삭제 작업이 메모리를 수정하는 것을 방지하기 위해 독립적으로 보호 될 수 있습니다.프로그램과 삭제 명령어는 명령어 인터페이스에 기록됩니다.칩 내 프로그램/삭제 컨트롤러는 메모리 내용을 업데이트하는 데 필요한 작업을 관리함으로써 장치를 프로그래밍하거나 삭제하는 프로세스를 단순화합니다..
PROGRAM 또는 ERASE 작업의 끝을 감지하고 오류 조건을 식별 할 수 있습니다. 메모리를 제어하는 데 필요한 명령어 세트는 JEDEC 표준과 일치합니다.
특징
• 공급 전압VCC = 5V
• 접속 시간: 55 ns
• 프로그램/삭제 컨트롤러
부착된 바이트/워드 프로그램 알고리즘
• 중지 및 재개 모드를 삭제
• 낮은 전력 소비
대기 상태 및 자동 대기 상태
• 블록당 100,000개의 프로그램/삭제 주기가
• 전자 서명
제조사 코드: 0x01h
• 최상위 장치 코드
M29F200FT 0x2251
M29F400FT 0x2223
M29F800FT: 0x22D6
M29F160FT 0x22D2
• 바닥 장치 코드
M29F200FB 0x2257
M29F400FB 0x22AB
M29F800FB: 0x2258
M29F160FB 0x22D8
• RoHS를 준수하는 패키지
TSOP48
SO44 (16Mb 이 패키지에 사용할 수 없습니다)
• 자동차 장치 3급
온도: 40~+125°C
• 자동차 장치 6급
온도: 40°C ~ +85°C
• 자동차 품질 인증 (AEC-Q100)
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 대체 포장 |
패키지 케이스 | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm 너비) |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
공급자 제품 패키지 | 48-TSOP |
메모리 용량 | 8M (1M x 8, 512K x 16) |
메모리 타입 | 플래시 - NOR |
속도 | 55n |
형식 메모리 | 플래시 |
설명
플래시 - NOR 메모리 IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 병렬 55ns 48-TSOP
NOR 플래시 평행 5V 8M-비트 1M x 8/512K x 16 55ns 자동차 48 핀 TSOP 트레이
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