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MR4A16BYS35 IC 램 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 에버스핀 테크놀로지스
| 브랜드 이름 | Everspin Technologies Inc. |
|---|---|
| 모델 번호 | MR4A16BYS35 |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | RAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | MRAM(자기 저항 RAM) | 메모리 용량 | 16Mbit |
| 메모리구성 | 1M Ｘ 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 35 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 35 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 54 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 54-TSOP2 |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| NDS66PT5-16IT TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS36PT5-20ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-16IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-20IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS66PT5-16ET TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR4A16BYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 |
제품 설명
제품 세부 정보
MR3 반사등 조립장
MR4 반사등 조립장
MR6 반사등 조립장
조절 가능한 초점 반사 장치
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 에버스핀 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | MR4A16B |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 패키지 케이스 | 54-TSOP (0.400", 10.16mm 너비) |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 54-TSOP2 |
| 메모리 용량 | 16M (1M x 16) |
| 메모리 타입 | MRAM (마그네토레시스티브 RAM) |
| 속도 | 35n |
| 접근 시간 | 35 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 70C |
| 작동 온도 범위 | 0 C |
| 가동 공급 전류 | 110mA |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 1 M x 16 |
| 데이터 버스 너비 | 16비트 |
| 공급 전압 최대 | 3.6V |
| 공급 전압-분 | 3V |
| 패키지 케이스 | TSOP-54 |
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| MR4A16BYS35R 기억력 |
메모리 회로, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | 에버스핀 테크놀로지 | MR4A16BYS35 대 MR4A16BYS35R |
| MR4A16BCYS35R 기억력 |
메모리 회로, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | 에버스핀 테크놀로지 | MR4A16BYS35 대 MR4A16BCYS35R |
| MR4A16BMYS35R 기억력 |
메모리 회로, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS 컴플라이언트, MS-024, TSOP2-54 | 에버스핀 테크놀로지 | MR4A16BYS35 대 MR4A16BMYS35R |
| MR4A16BMYS35 기억력 |
메모리 회로, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS 컴플라이언트, MS-024, TSOP2-54 | 에버스핀 테크놀로지 | MR4A16BYS35 대 MR4A16BMYS35 |
| MR4A16BCYS35 기억력 |
메모리 회로, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | 에버스핀 테크놀로지 | MR4A16BYS35 대 MR4A16BCYS35 |
설명
MRAM (마그네토레시티브 램) 메모리 IC 16Mb (1M x 16) 병렬 35ns 54-TSOP2
MRAM 16Mbit 병렬 3.3V 54핀 TSOP 트레이
NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 평행 MRAM
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