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71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP 레네사스 전자제품 아메리카 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 동시에 일어나는, SDR | 메모리 용량 | 4.5Mbit |
메모리구성 | 128K x 36 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 166 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | 3.5 나노 초 | 전압 - 공급 | 3.135V ~ 3.465V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 100-LQFP | 공급자의 장치 패키지 | 100-tqfp (14x20) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number | Description | |
---|---|---|
71V25761S166PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V25761S166PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V25761S166PF | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V25761S166PF8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V25761S166PFI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V25761S166PFI8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V25761S183PF | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V25761S183PF8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V25761S183PFI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V25761S183PFI8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V25761YS200PF | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V25761YS200PF8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V3577YS85PF | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V3577YS85PF8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V3577YS85PFI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V3577YS85PFI8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V3578YS133PF | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V3578YS133PF8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V3578YS133PFI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V3578YS133PFI8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
IDT71V3579S65PF | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V3579S65PF8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V632ZS5PF | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP | |
IDT71V632ZS5PF8 | IC SRAM 2MBIT PAR 100TQFP |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
IDT71V256SA는 32K x 8로 구성된 262,144비트 고속 정적 RAM이다. IDT의 고성능, 높은 신뢰성 CMOS 기술을 사용하여 제조되었다.
특징
• 고성능 프로세서 2차 캐시에 이상적입니다.• 상업용 (0°~70°C) 및 산업용 (-40°~85°C)
온도 옵션
• 빠른 접근 시간:
상업적: 10/12/15/20ns
산업용: 15nS
• 낮은 대기 전류 (최대):
2mA 완전 대기 상태
• 공간 효율적인 레이아웃을 위한 작은 패키지:
28 핀 300 밀리 SOJ
28핀 300밀리 플라스틱 DIP (상용용)
28핀 TSOP I형
• 첨단 고성능 CMOS로 생산
기술
입력과 출력은 LVTTL 호환
• 단일 3.3V (± 0.3V) 전원 공급
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 통합 회로 시스템 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | 71V25761S166 |
종류 | 동기화 |
포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
단위 무게 | 00.023175 온스 |
장착 방식 | SMD/SMT |
패키지 케이스 | 100LQFP |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3.135V ~ 3.465V |
공급자 제품 패키지 | 100-TQFP (14x20) |
메모리 용량 | 4.5M (128K x 36) |
메모리 타입 | SRAM - 동기화 |
속도 | 166MHz |
접근 시간 | 3.5 ns |
형식 메모리 | RAM |
최대 작동 온도 | + 70C |
작동 온도 범위 | 0 C |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 128k x 36 |
공급 전류 최대 | 320mA |
부분-#-위명 | 71V25761 IDT71V25761S166PFG8 |
공급 전압 최대 | 3.465V |
공급 전압-분 | 3.135V |
패키지 케이스 | TQFP-100 |
최대 시계 주파수 | 166 MHz |
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
IDT71V25761S166PFI8 기억력 |
캐시 SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | 통합 장치 기술 Inc | 71V25761S166PFG8 대 IDT71V25761S166PFI8 |
71V25761S166PFGI 기억력 |
캐시 SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-100 | 통합 장치 기술 Inc | 71V25761S166PFG8 대 71V25761S166PFGI |
IDT71V25761S166PF 기억력 |
캐시 SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | 통합 장치 기술 Inc | 71V25761S166PFG8 대 IDT71V25761S166PF |
71V25761S166PFG 기억력 |
TQFP-100, 트레이 | 통합 장치 기술 Inc | 71V25761S166PFG8 대 71V25761S166PFG |
71V25761S166PF8 기억력 |
캐시 SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | 통합 장치 기술 Inc | 71V25761S166PFG8 대 71V25761S166PF8 |
IDT71V25761S166PFI 기억력 |
캐시 SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | 통합 장치 기술 Inc | 71V25761S166PFG8 대 IDT71V25761S166PFI |
설명
SRAM - 동기 메모리 IC 4.5Mb (128K x 36) 병렬 166MHz 3.5ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V 파이프 라인 브러스트 SRAM
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