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W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA 윈본드 전자제품

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR2 | 메모리 용량 | 256Mbit |
메모리구성 | 32M X 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 200MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
엑세스 시간 | 400이지 추신 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
작동 온도 | 0' C ~ 85' C (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 60-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 60-WBGA(8x12.5) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number | Description | |
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W9725G8KB-25 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9725G8KB-18 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
W9725G8KB25I TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9725G8KB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9725G8KB-18 | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
W9725G8KB25I | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8NB25I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
W971GG8NB-25 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
W971GG8NB-25 | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
W971GG8NB25I | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
W971GG8JB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8KB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8KB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9751G8KB-25 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9751G8KB25I | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8JB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8SB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8SB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8KB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8KB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8SB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8SB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9751G8KB-25 TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9751G8KB25I TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
W9725G8JB는 256M 비트 DDR2 SDRAM입니다.388,608 단어 x 4 은행 x 8 비트. 이 장치는 일반 응용 프로그램에 대해 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) 까지의 고속 전송 속도를 달성합니다. W9725G8JB는 다음과 같은 속도 등급으로 분류됩니다: -18, -25,25I와 -3-18은 DDR2-1066 (7-7-7) 규격에 적합합니다.-25/25I는 DDR2-800 (5-5-5) 또는 DDR2-800 (6-6-6) 사양에 적합합니다 ( -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C를 지원 할 수 있는 25I 산업 등급)-3은 DDR2-667 (5-5-5) 사양에 적합합니다.
특징
전원 공급: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V• 이중 데이터 레이트 구조: 시계 주기에 두 개의 데이터 전송
• CAS 지연: 3, 4, 5, 6 및 7
• 폭발 길이: 4 및 8
• 양방향, 차분 데이터 스트로브 (DQS 및 DQS) 는 데이터와 함께 전송 / 수신됩니다.
• 읽기 데이터와 가장자리 정렬 및 기록 데이터와 중앙 정렬
• DLL는 DQ 및 DQS 전환을 시계와 일치시킵니다.
• 차차 시계 입력 (CLK 및 CLK)
• 데이터 마스크 (DM) 를 사용하여 데이터를 기록합니다.
• 각 긍정적인 CLK 가장자리, 데이터 및 데이터 마스크에 입력된 명령어는 DQS의 두 가장자리에 참조됩니다.
• 명령 및 데이터 버스 효율성을 만들기 위해 지원 된 CAS 프로그래밍 가능한 추가 지연
• 읽기 지연 = 추가 지연 + CAS 지연 (RL = AL + CL)
• 더 나은 신호 품질을 위해 오프 칩 드라이버 임피던스 조정 (OCD) 및 다이-터미네이션 (ODT)
• 읽기 및 쓰기 박동에 대한 자동 전 충전 작동
• 자동 갱신 및 자동 갱신 모드
• 전 충전 된 전원 종료 및 활성 전원 종료
• 데이터 마스크를 작성
• 적기 지연 = 읽기 지연 - 1 (WL = RL - 1)
인터페이스: SSTL_18
• WBGA 60 볼 (8X12.5 mm2) 에 포장되어 RoHS를 준수하는 납 없는 재료를 사용합니다.
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 윈본드 전자제품 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
패키지 케이스 | 60-TFBGA |
작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TC) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
공급자 제품 패키지 | 60-WBGA (8x12.5) |
메모리 용량 | 256M (32M x 8) |
메모리 타입 | DDR2 SDRAM |
속도 | 2.5ns |
형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR2 메모리 IC 256Mb (32M x 8) 병렬 200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
DRAM 칩 DDR2 SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 60핀 WBGA
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