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TH58NVG3S0HTAI0 IC 플래시 8GBIT PARALLEL 48TSOP I 키오시아 아메리카, 인크

  • TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc.
브랜드 이름 Kioxia America, Inc.
모델 번호 TH58NVG3S0HTAI0
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
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제품 상세 정보
기억 영역형 비휘발성입니다 메모리 포맷 플래시
기술 플래시 - NAND (SLC) 메모리 용량 8Gbit
메모리구성 1G x 8 기억기접합 대비
클럭 주파수 - 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 25 나노 초
엑세스 시간 25 나노 초 전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭) 공급자의 장치 패키지 48-TSOP I
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0FTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG3S0FTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0FTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG5S0FTA20 IC FLSH 32GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTAK0 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT 48TSOP I
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제품 설명

제품 세부 정보

[토시바]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM

설명

TH58NVG1S3A는 단일 3.3-V 2G 비트 (2,214,592,512 비트) NAND 전기 지우기 및 프로그래밍 가능한 읽기 전용 메모리 (NAND E2PROM) 는 (2048 + 64) 바이트 x 64 페이지 x 2048 블록으로 구성됩니다.장치는 2112 바이트의 정적 레지스터를 가지고 있으며, 이 레지스터와 메모리 셀 배열 사이에 2112 바이트의 증가로 프로그램 및 읽기 데이터를 전송할 수 있습니다.삭제 작업은 단일 블록 단위로 구현됩니다 (128 Kbyte + 4Kbyte: 2112 바이트 x 64 페이지).
TH58NVG1S3A는 주소 및 데이터 입력 / 출력뿐만 아니라 명령 입력에 I / O 핀을 사용하는 일련형 메모리 장치입니다.삭제 및 프로그램 작업은 자동으로 실행됩니다 장치가 솔리드 스테이트 파일 저장 장치와 같은 응용 프로그램에 가장 적합합니다, 음성 녹화, 사진 파일 메모리 고정 카메라 및 고밀도 비휘발성 메모리 데이터 저장을 필요로하는 다른 시스템.

특징

• 조직
메모리 셀 알레이 2112 u 64K u 8 u 2
등록 2112 u 8
페이지 크기 2112바이트
블록 크기 (128K 4K) 바이트
• 모드
읽기, 리셋, 자동 페이지 프로그램
자동 차단 삭제, 상태 읽기
• 모드 제어
일련 입력 출력
명령 제어
전원 공급 VCC 2.7V ~ 3.6V
• 프로그램/삭제 사이클 1E5 사이클 (ECC와 함께)
• 접속 시간
셀 배열 최대 25μs를 등록합니다.
연쇄 읽기 사이클 50 ns min
• 작동 전류
읽기 (50 ns 사이클) 10 mA typ.
프로그램 (평균) 10mA
삭제 (평균) 10mA typ.
대기 상태 50 μA 최대
• 패키지
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((중량: 0.53g typ.)

사양

속성 속성 값
제조업자 도시바
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이
패키지 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm 너비)
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬/시리즈
전압 공급 2.7V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 48-TSOP I
메모리 용량 8G (1G x 8)
메모리 타입 EEPROM - NAND
속도 25n
형식 메모리 EEPROM - 일련 I/O 데이터 버스

설명

NAND 플래시 평행 3.3V 8G 비트 1G x 8
EEPROM 3.3V, 8Gbit CMOS NAND EEPROM
꼬리표:

안정적 플래쉬 메모리 IC

순간 메모리용 IC 비휘발성

SPI 플래쉬 메모리 IC